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数据表
MOS集成电路
MC- 458CB641ES ， 458CB641PS
8M - WORD 64位
同步动态内存模块（ SO DIMM ）
描述
在MC- 458CB641ES和MC- 458CB641PS是8388608字由64位同步动态RAM模块
（小外形DIMM）上4条128M SDRAM ：
PD45128163组装。
这些模块提供高密度和大量内存在小的空间，而不利用surface-
安装技术的印刷电路板。
去耦电容安装在电源线上的噪声降低。
特点
8388608字由64位组织
时钟频率和访问时间从CLK
产品型号
MC-458CB641ES-A80
/ CAS延时
CL = 3
CL = 2
MC-458CB641ES-A10
CL = 3
CL = 2
时钟频率（最大）
125兆赫
100兆赫
100兆赫
77兆赫
125兆赫
100兆赫
100兆赫
77兆赫
从CLK访问时间（最大）
6纳秒
6纳秒
6纳秒
7纳秒
6纳秒
6纳秒
6纳秒
7纳秒
5
MC-458CB641PS-A80
CL = 3
CL = 2
5
MC-458CB641PS-A10
CL = 3
CL = 2
完全同步动态RAM中，具有所有信号参考一个时钟上升沿
脉冲接口
可以断言随机列地址在每个周期中
由BA0控制四路内部银行， BA1 （库选择）
可编程的突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8和全页
可编程的缠绕顺序（顺序/交织）
可编程/ CAS延迟（ 2,3）
自动预充电和预充电控制
CBR （自动）刷新和自刷新
采用3.3 V单
±0.3
V电源
LVTTL兼容
4096刷新周期/ 64毫秒
突发终止突发停止命令和预充电命令
144引脚小外形双列直插内存模块（引脚间距= 0.8mm）的
无缓冲型
串行PD
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供应及其他信息。
一号文件M14015EJ4V0DS00 （第4版）
发布日期2000年2月NS CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
1999
