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的CY8C21x34最终数据手册
3.电气规格
3.1
符号
T
英镑
T
A
VDD
V
IO
V
IOZ
I
MIO
ESD
LU
绝对最大额定值
描述
储存温度
环境温度与功耗的应用
电源电压Vdd引脚上相对于Vss
直流输入电压
直流电压适用于三态
最大电流到任何端口引脚
静电放电电压
闩锁电流
民
-55
-40
-0.5
VSS - 0.5
VSS - 0.5
-25
2000
–
–
–
–
–
–
–
–
–
典型值
最大
+100
+85
+6.0
单位
o
C
o
C
表3-2 。绝对最大额定值
笔记
较高的贮存温度将降低数据
保留时间。
V
VDD + 0.5 V
VDD + 0.5 V
+50
–
200
mA
V
mA
人体模型ESD 。
3.2
符号
T
A
T
J
工作温度
描述
环境温度
结温
民
-40
-40
–
–
典型值
最大
+85
+100
单位
o
C
o
C
表3-3 。工作温度
笔记
的温度上升，从环境温度到结
包特有的。看
“热阻”
第31页。
用户必须限制功率变
消费符合这一要求。
3.3
3.3.1
DC电气特性
DC芯片级规范
下表列出了许可的最大和最小规格的电压和温度范围： 4.75V到5.25V
和-40°C
≤
T
A
≤
85°C ， 3.0V至3.6V和-40°C
≤
T
A
≤
85°C ，或2.4V至3.0V以及-40°C
≤
T
A
≤
85°C ，分别。典型参数
适用于5V ， 3.3V或2.7V， 25°C时，并仅作为设计参考。
表3-4 。 DC芯片级规范
符号
VDD
I
DD
电源电压
电源电流， IMO = 24 MHz的
描述
民
2.40
–
–
3
典型值
最大
5.25
4
V
mA
单位
笔记
见表标题
“DC POR和LVD规范
范“第20页。
条件是VDD = 5.0V ，T
A
= 25
o
C， CPU = 3
兆赫， 48兆赫禁用。 VC1 = 1.5 MHz时， VC2 =
93.75千赫， VC3 = 0.366千赫。
条件是VDD = 3.3V ，T
A
= 25
o
C， CPU = 3
MHz时，时钟倍频器禁用。 VC1 = 375千赫，
VC2 = 23.4千赫， VC3 = 0.091千赫。
条件是VDD = 2.55V ，T
A
= 25
o
C， CPU = 3
MHz时，时钟倍频器禁用。 VC1 = 375千赫，
VC2 = 23.4千赫， VC3 = 0.091千赫。
VDD = 2.55V ， 0
o
C
≤
T
A
≤
40
o
C.
VDD = 3.3V ， -40
o
C
≤
T
A
≤
85
o
C.
修剪合适的VDD。 VDD = 3.0V至
5.25V.
修剪合适的VDD。 VDD = 2.4V至
3.0V.
I
DD3
电源电流， IMO = 6 MHz的使用SLIMO模式。
–
1.2
2
mA
I
DD27
电源电流， IMO = 6 MHz的使用SLIMO模式。
–
1.1
1.5
mA
I
SB27
I
SB
V
REF
V
REF27
AGND
休眠（模式）电流，在POR ， LVD ，休眠定时器， WDT ，
和内部低频振荡器活跃。中间温度范围。
休眠（模式）电流，在POR ， LVD ，休眠定时器， WDT ，
和内部低频振荡器活跃。
参考电压（带隙）
参考电压（带隙）
模拟地
–
–
1.28
1.16
V
REF
- 0.003
2.6
2.8
1.30
1.30
V
REF
4.
5
1.32
1.33
V
REF
+ 0.003
A
A
V
V
V
2005年4月20日
文件编号38-12025牧师* G
16
