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P L I M I N A R
概述
该Am29LV008B是8兆， 3.0伏，仅限于Flash
内存组织为1,048,576字节。该装置是
在一个40引脚TSOP封装。该字节宽的（x8 ）
数据显示在DQ7 - DQ0 。仅此设备需要
一个单一的， 3.0伏V
CC
供应进行读取，编程，
和擦除操作。一个标准的EPROM亲
程序员也可以被用来编程和擦除的
装置。
该器件采用AMD的0.35微米制造
工艺技术，并提供所有的功能和
该Am29LV008 ，将其制造的好处
采用0.5微米工艺技术。此外，该
Am29LV008B功能解锁绕道程序
而在系统部门保护/解除保护。
该标准的设备提供的70次，80次90次访问，
和120纳秒，使高速微处理器
操作无需等待。为了消除总线conten-
和灰设备都有单独的芯片使能（ CE ＃ ），写
使能（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
股
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据，而不是四个。
设备擦除时通过执行擦除命令
序列。这将启动
嵌入式擦除
algo-
rithm -内部算法，自动前原
克阵列（如果它尚未被编程）之前
在执行擦除操作。在擦除时，设备
自动倍擦除脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃
销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6
（切换）
状态位。
编程或擦除周期后，
已经完成时，该装置已准备好读取阵列
数据或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
该
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据，
或不选择程序数据，任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进行中，内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到
系统复位电路。因此，一个系统复位也会
复位装置，使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时，器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
的质量，可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
同时，通过一个部门福勒 - 诺德海姆调谐
neling 。的数据是使用热电子编程
注入。
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Am29LV008B
