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智能3高级启动块
3.3
块锁定
3.4
V
PP
编程和擦除
电压
E
智能3高级启动区块快闪记忆体
建筑特色
两
硬件上锁
参数块。
3.3.1
WP ＃ = V
IL
为块锁定
英特尔的智能3产品在系统提供
编程和擦除为2.7 V.对于客户
需要快速编程在其制造
的环境中，智能3包括一个附加的低
耗资12 V的编程功能。
12 V V
PP
模式提高编程
在较短的时间段通常表现
在制造过程中发现的;然而，它是
不打算长期使用。 12伏可被应用于
到V
PP
在一个程序和擦除操作
在主块的最大的1000个循环和
2500周期的参数块。 V
PP
可能是
连接到12伏，总共最多80小时。
强调超越这些限制的设备可能会导致
永久性损坏。
在读操作或空闲时间，V
PP
可能是
绑一个5 V电源。编程和擦除
操作中， 5 V电源是不允许的。在V
PP
必须与任何2.7 V ， 3.6 V或11.4 V-供应
12.6 V在编程和擦除操作。
3.4.1
V
PP
= V
IL
有关完整
保护
可锁块被锁定时， WP ＃ = V
IL
;
任何编程或擦除操作以锁定块
会导致错误，这将反映在
状态寄存器。对于顶级配置，前两名
参数块（块＃ 69和＃ 70 ， ＃块37
和38 ＃为16兆比特，块＃ 21和＃ 22的
8兆位，块＃ 13和＃ 14的4兆位）的
上锁。对于底部结构，底部
2参数块（块＃ 0和＃1为4- / 8- /
16 / 32兆位）的上锁。锁定块可以是
编程或擦除正常（除非V
PP
is
低于V
PPLK
).
3.3.2
WP ＃ = V
IH
座解锁
WP ＃ = V
IH
所有解锁上锁块。
这些模块现在可以进行编程或擦除。
请注意， RP ＃不覆盖WP ＃锁定在
以前的引导块设备。 WP＃控制所有块
锁定和V
PP
提供保护，防止
误写。表8定义的写保护
的方法。
表8.写保护真值表
高级启动块闪存系列
V
PP
X
V
IL
≥
V
PPLK
≥
V
PPLK
WP ＃
X
X
V
IL
V
IH
RP ＃
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
写保护
提供
所有的块锁定
所有的块锁定
可锁块
锁定
所有块解锁
在V
PP
编程电压可以保持低
所有块的闪存完整的写保护
装置。当V
PP
低于V
PPLK
任何程序或
擦除操作会导致错误，提示
相应的状态寄存器位（ SR.3）进行设置。
3.5
耗电量
英特尔闪存设备具有分层的方法来
积蓄力量，可以显著降低整体
系统的功耗。自动功率
储蓄（ APS ）功能可降低功耗
被选中时，该设备，但处于空闲状态。如果CE ＃是
去断言时，闪光进入待机模式，
其中电流消耗更低。该
这些特征的组合，可以最小化
存储器的功耗，因此，总
系统的功耗。
20
初步
