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28F004 / 400B3 ， 28F008 / 800B3 ， 28F016 / 160B3 ， 28F320B3 ， 28F640B3
表2中。
符号
3伏高级启动区块引脚说明
TYPE
名称和功能
地址输入
为存储器地址。地址在程序内部或锁存
擦除周期。
28F004B3 ： A [ 0-18 ] ， 28F008B3 ： A [ 0-19 ] ， 28F016B3 ： A [ 0-20 ]
28F400B3 ： A [ 0-17 ] ， 28F800B3 ： A [ 0-18 ] ， 28F160B3 ： A [ 0-19 ]
28F320B3 ： A [ 0-20 ] ， 28F640B3 ： A [ 0-21 ]
数据输入/输出：
输入第二CE＃阵列数据和WE ＃循环程序中
命令。输入命令到命令的用户界面时， CE＃和WE ＃信号有效。数据
内部锁存。输出数组，标识和状态寄存器的数据。数据引脚浮到三态时，
该芯片被取消选择或输出被禁止。
数据输入/输出：
输入第二CE＃阵列数据和WE ＃循环程序中
命令。数据在内部锁存。输出数组和标识符的数据。数据引脚浮到三态
当芯片被去选择。
不包括对X8产品。
CHIP ENABLE ：
激活内部控制逻辑，输入缓冲器，解码器和读出放大器。 CE＃
为有效低电平。 CE＃高去选择存储设备，并降低功耗待机
的水平。
OUTPUT ENABLE ：
在读操作期间，使该设备的输出端通过数据缓冲器。
OE ＃为低电平有效。
写使能：
控制写入命令寄存器和存储器阵列。 WE＃为低电平有效。
地址和数据锁存第二WE＃脉冲的上升沿。
RESET /深度掉电：
采用两个电压等级（V
IL
, V
IH
）来控制复位/深度掉电
模式。
A
0
–A
21
输入
DQ
0
-DQ
7
输入/
产量
DQ
8
–
DQ
15
CE＃
输入/
产量
输入
OE ＃
WE＃
输入
输入
RP ＃
输入
当RP ＃为逻辑低电平时，器件处于复位/深度掉电模式下，
其驱动输出
为高阻，复位写状态机，并最大限度地减少电流等级（I
CCD
).
当RP ＃处于逻辑高电平时，设备处于标准操作。
当从逻辑电RP ＃转换
低到逻辑高，则设备默认为读阵列模式。
写保护：
提供用于锁定和解锁两个可锁定参数块的方法。
当WP ＃处于逻辑低时，可锁定块锁定，
防止编程和擦除
操作这些块。如果一个程序或擦除操作是在试图锁定块， SR.1和
无论是SR.4 [程序]或SR.5 [删除]将被设置为显示操作失败。
当WP ＃为逻辑高电平时，可锁定块解锁
并且可以被编程或擦除。
SEE
第3.3节
对写保护的详细信息。
输出电压V
CC
:
能使所有的输出被驱动至1.8伏 - 2.5伏，而在V
CC
是在2.7 V - 3.3 V如果
V
CC
调节到2.7 V ， 2.85 V ，V
CCQ
可以驱动在1.65 V - 2.5 V ，实现最低功耗
操作（见
第4.4节
)
.
该输入可直接连接到V
CC
(2.7 V–3.6 V).
器件电源：
2.7 V–3.6 V
编程/擦除电源：
供电进行编程和擦除操作。 V
PP
五月
是相同的V
CC
（ 2.7 V - 3.6 V）单电源电压下运行。对于快速编程的
制造， 11.4 V- 12.6 V可以被供给到V
PP
。该引脚不能悬空。应用
11.4 V- 12.6 V到V
PP
只能最多为1000个循环上的主块和2500进行
周期的参数块。 V
PP
可被连接到12伏，总共最多支持80个小时（见
第3.4节
有关详细信息） 。
V
PP
＆ LT ; V
PPLK
防止无意或无意的编程和擦除存储器内容
命令。
WP ＃
输入
V
CCQ
输入
V
CC
V
PP
GND
NC
地面：
对于所有内部电路。所有输入接地
必须
进行连接。
无连接：
引脚可被驱动或悬空。
6
3UHOLPLQDU\
