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AT89C5130A/31A-M
闪存EEPROM存储器
概述
Flash存储器EPROM增加功能，在电路中的电擦除和
编程。它包含16/32 KB的程序存储器的组织128/256页
的128个字节上。该内存并行和串行在系统编程
序的商（ISP） 。 ISP允许设备改变自己的程序存储器中的实际结束
在软件控制下的产品。默认串行装载（引导加载程序）程序允许ISP
的闪光。
编程不需要12V的外部编程电压。必要
高编程电压是使用标准的V在片上产生
CC
销
微控制器。
特点
闪存EEPROM内部程序存储器。
Boot向量允许用户将Flash装载代码的任何地方居住在Flash
存储器空间。这种配置提供了灵活性给用户。
在启动EEPROM默认的装载程序可通过编程没有串口
需要用户提供的装载机。
高达64K字节的外部程序存储器，如果内部程序存储器
禁用（ EA = 0 ） 。
编程和擦除电压与标准电源。
读/编程/擦除：
按字节读取（无等待状态） 。
字节或页擦除和编程（ 10毫秒） 。
典型的编程时间（ 32字节）的4.5秒。
并行编程与87C51兼容的硬件接口，程序员。
在Flash中编程加密。
100K的写周期
10年的数据保留
闪存编程和
删除
16/32 KB闪存是由字节或128字节的页编程。它不是必要请
埃森擦除一个字节或编程之前的页面。一个字节或一个编程
页面包括编程前擦除自我。
有编程闪存的三种方法：
1.片上的ISP引导程序可以调用将使用低级别例程来
编程的页面。用于Flash的串行下载接口是
USB 。
2.闪存可被编程或通过调用擦除在最终用户应用程序
通过引导Flash的共同切入点低级例程。
3.闪光可使用并行编程方法。
该引导程序和应用程序编程接口（ API ）程序位于
闪存的Bootloader 。
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4337C–USB–02/05
