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TMS370Cx36
8位微控制器
SPNS039B - 1996年1月 - 修订1997年2月
数据EEPROM
该TMS370Cx36设备,包含256字节的数据EEPROM ,都映射内存开始的
位置1F00H并通过位置1FFFh的继续。写入数据EEPROM模块由控制
数据EEPROM控制寄存器( DEECTL )和写保护寄存器( WPR ) 。编程算法
实施例中提供了
TMS370系列用户指南
(文献编号SPNU127 )或
TMS370系列数据手册
(文献编号SPNS014B ) 。数据EEPROM功能包括以下内容:
D
编程:
位,字节和块写入/擦除模式。
内部电荷泵电路。不需要任何外部EEPROM编程电压供电。
控制寄存器:数据EEPROM的编程是由位于PF帧的DEECTL控制
在开始位置P01A 。见表5 。
在线编程能力。没有必要删除该设备进行编程。
D
写保护。写入数据EEPROM是在下列情况下禁用。
复位。数据EEPROM模块的所有程序被暂停。
写保护生效。有一个写保护位每个32字节EEPROM模块。
低功耗工作模式
D
写保护可以通过将12 V到MC覆盖。
表5数据EEPROM和程序的EPROM控制寄存器内存映射
程序的EPROM
该TMS370C736设备包含EPROM的16K字节映射,开始在位置4 000H和继续
通过位置7FFFh表示为如图3所示读程序的EPROM模块是相同的读
其他的内部存储器。在编程期间, EPROM是通过EPROM中的控制寄存器控制
( EPCTLL ) 。该程序的EPROM模块的功能包括:
D
程序设计
在线编程能力,如果V
PP
被施加到MC
控制寄存器: EPROM编程是由位于EPROM控制寄存器( EPCTLL )控制
在外围文件(PF)帧处的位置P01C如表5所示。
D
写保护:写程序的EPROM在下列情况下被禁用:
复位:所有编程来对EPROM模块暂停
低功耗模式
13 V不适用于MC
内存地址7FE0h通过7FEBh保留德州仪器( TI ) ,并解决7FECh通过7FFFh表示保留
对于中断和复位向量。陷阱向量,通过TRAP15说明使用TRAP0 ,位于地址7FC0h之间
7FDFh.
TI是德州仪器的商标。
10
地址
P01A
P01B
符号
DEECTL
EPCTLL
名字
数据EEPROM控制寄存器
版权所有
P01C
EPROM编程控制寄存器 - 低阵
邮政信箱1443
休斯敦,得克萨斯州77251-1443

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