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SAB 88C166 （W）的
闪存的操作模式
有两种基本的操作模式访问Flash ：标准和写入模式。子
写模式的模式是在编程，擦除和非验证模式。
图4
闪存工作模式转换
在标准模式
闪存可以从任何内存位置访问（外部
存储器，片内RAM或闪存）的取指令和数据的读取操作数。数据
操作数读操作可以使用直接16位（助记： MEM）和间接（助记符： [ RW ] ）
寻址模式。标准模式下不允许访问的FCR或Flash的写操作。
注意：
当闪存保护被激活，操作数的数据只能由那些指令访问
执行了内部闪存。
闪存写作模式
必须进行编程或擦除闪存存储器中输入。该
SAB 88C166进入这些模式由一个特定的键码序列，称为解锁序列。
在写模式中使用的寻址模式决定FCR或Flash存储器位置是否是
访问。在FCR可以与任何直接访问的地址，甚至在活动进行访问
Flash存储器的地址空间。只有一个字操作数指令所允许的FCR访问。
访问闪存存储器位置必须使用间接寻址偶地址。
直接16位寻址模式：
间接寻址方式：
纪念品-->
[ RW
n
] -->
13
访问FCR
访问闪存单元
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