IRFE9110
机械数据
尺寸mm （英寸）
P- CHANNEL
功率MOSFET
≈
2.16 (0.085)
1.27 (0.050)
1.07 (0.040)
9.14 (0.360)
8.64 (0.340)
12 13 14 15 16
1.39 (0.055)
1.02 (0.040)
11
7.62 (0.300)
7.12 (0.280)
17
18
1
2
0.76 (0.030)
0.51 (0.020)
10
9
8
V
DSS
I
D（续）
R
DS （ ON）
-100V
-2.2A
1.2
W
7
6
5
4
3
1.65 (0.065)
1.40 (0.055)
0.33 (0.013)
弧度。
0.08 (0.003)
1.39 (0.055)
1.15 (0.045)
0.43 (0.017)
0.18 （ 0.007拉德。
特点
=表面贴装
占用空间小
LCC4
MOSFET
门
漏
来源
密封
引脚
4,5
1,2,15,16,17,18
6,7,8,9,10,11,12,13
晶体管
BASE
集热器
辐射源
动态的dv / dt额定值
雪崩能量评级
简单的驱动要求
重量轻
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
E
AS
dv / dt的
T
J
, T
英镑
栅 - 源电压
连续漏电流@ T
例
= 25°C
连续漏电流@ T
例
= 100°C
漏电流脉冲
功率耗散@ T
例
= 25°C
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
2
峰值二极管恢复
3
工作和存储温度范围
表面温度（ 5秒） 。
±20V
– 2.2A
– 1.4A
– 8.8A
11W
0.090W/°C
87mJ
- 5.5V / ns的
- 55至+ 150°C
300°C
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
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