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临时数据表号PD 9.809
HEXFET
晶体管
200伏， 0.060Ω ， HEXFET
HEXFET技术的关键在于国际
功率MOSFET的整流先进的线晶体管
器。高效的几何设计实现版本
低通态电阻加上高反式
电导。
HEXFET晶体管还具有所有的精心上课 -
MOSFET的tablished优点，如电压
控制，非常快速的切换，方便并联和
电参数的温度稳定性。他们是
非常适合用于诸如开关电源
电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频
放大器，高能量脉冲电路，几乎
在需要高可靠性的应用程序。
该HEXFET晶体管的完全隔离包
省去了额外的隔离材料
器件和散热器之间。这提高
热效率和降低漏电容。
IRFI260
N沟道
产品概述
产品型号
IRFI260
BV
DSS
200V
R
DS （ ON）
0.060
I
D
45A*
产品特点：
n
n
n
n
n
密封式
电气隔离
简单的驱动要求
易于并联的
陶瓷鸡眼
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 10V ， TC = 25°C连续漏电流
ID @ VGS = 10V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
我AR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
* ID电流受销直径
300（ 0.063英寸（ 1.6毫米）从壳体10秒。 ）
10.9 （典型值）
IRFI260
45*
29
180
300
2.4
±20
700
45
30
4.3
-55到150
单位
A
W
W / K
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
TO ORDER
