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初步
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
DD
相对于GND ........ -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[12]
............................... -0.5V到V
DDQ
+ 0.5V
直流输入电压
[12]
............................ -0.5V到V
DDQ
+ 0.5V
CY7C1481V33
CY7C1483V33
CY7C1487V33
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
Com'l
环境
温度
[11]
0
°
C至+70
°
C
V
DD
3.3V + 5%/
–5%
V
DDQ
2.375V （最小）
V
DD
（ MAX 。 ）
电气特性
在整个工作范围
参数
V
DD
V
DDQ
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
X
描述
电源电压
I / O电源电压
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低
电压
[12]
GND < V
I
＆ LT ; V
DDQ
输入= V
SS
GND < V
I
＆ LT ; V
DDQ ，
输出禁用
V
DD
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
CYC
150兆赫
133兆赫
117兆赫
100兆赫
I
SB1
自动CE
掉电
目前-TTL输入
最大。 V
DD
，设备选中，
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
f = f
最大
= 1/t
CYC
150兆赫
133兆赫
117兆赫
100兆赫
I
SB2
自动CE
掉电
目前， CMOS输入
自动CE
掉电
目前， CMOS输入
最大。 V
DD
，设备选中，
V
IN
＆ LT ; 0.3V或V
IN
＆ GT ; V
DDQ
–
0.3V,
f=0
最大。 V
DD
，设备选中，
或V
IN
＆ LT ; 0.3V或V
IN
＆ GT ; V
DDQ
–
0.3V
f = f
最大
= 1/t
CYC
最大。 V
DD
，设备选中，
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = 0
所有速度等级
V
DD
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
DD
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
V
DD
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
V
DD
=最小值，我
OL
= 1.0毫安
3.3V
2.5V
3.3V
2.5V
3.3V
2.5V
3.3V
2.5V
输入负载电流
模式的输入电流
ZZ的输入电流
I
OZ
I
DD
输出漏电流
V
DD
工作电源
2.0
1.7
–0.3
–0.3
0.8
0.7
5
30
30
5
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
测试条件
分钟。
3.135
2.375
2.4
2.0
0.4
0.4
马克斯。
3.465
V
DD
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
SB3
150兆赫
133兆赫
117兆赫
100兆赫
所有速度等级
待定
待定
待定
待定
待定
mA
mA
mA
mA
mA
I
SB4
自动CE
掉电
目前-TTL输入
阴影区域包含预览。
注意事项：
11. T
A
是在室温下进行。
12.最小电压等于
2.0V
对于小于20纳秒的脉冲持续时间。
文件编号： 38-05284修订版**
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