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HM-6642
程序设计
介绍
在HM- 6642是8位的网络可编程场512字
只读存储器利用nicrome熔线为亲
可编程存储器元件。选择的存储位置
永久地从他们制造的状态改变，
所有低（V
OL
）为逻辑高（Ⅴ
OH
），由受控
应用程序的潜力和脉冲。小心
遵守下列程序特定网络连接的阳离子会
导致高的编程收率。兼具高V
CC
（ 6.0V ）和
低V
CC
（ 4.0V ）验证周期是特定网络版，以保证
编程的熔丝的完整性。这种编程
特定网络连接的阳离子，虽然完整，不妨碍迅速
编程。需要最坏的情况下编程时间为
37.4秒，以及典型编程时间可以是
大约每设备4秒。
芯片（E）和输出使能（G）的期间，均采用
编程过程。对PROM中具有多于
一个输出使能控制G3是要使用的。另一输出
能使必须在活动举行，或者启用状态
在整个编程序列。该编程
MER设计师建议，程序员的所有引脚
插座应该是处于地电位时，将PROM是
插入插座中。 V
CC
必须施加到PROM中
之前的任何输入或输出引脚允许上升（见注） 。
总体编程步骤
1.要编程的科幻RST位的地址是
由芯片使能（E ）呈现下降，并锁定
边缘。该输出是通过将输出使能禁用
G低：编程引脚通过采取有效（ P）
高。
2. V
CC
上升到编程电压电平， 12.5V 。
3.所有的数据输出引脚被拉至V
CC
程序。然后
对应于该位的数据输出引脚成为
编程拉低了100毫秒。只有一个位应
可以在同一时间进行编程。
4.数据输出引脚，则返回到V
CC
，和V
CC
针
返回到6.0V 。
5.比特的地址被再次提出，并通过锁存
第二芯片使能下降沿。
6.数据输出被使能，并且读取，以验证该
位成功编程。
一） 。如果VERI网络版，下位编程得到解决
和编程。
B）。如果没有VERI网络版，该程序验证序列
重复高达8倍的总。
7.在被编程为6.0V已经核实的所有位，
在V
CC
被降低到4.0V和所有位被验证。
一） 。如果所有位验证，该设备已正确编程。
B）。如果任何位校验失败，则设备将被拒绝。
编程系统要求
1.要编程的器件的电源必须
可以被设置为三个电压： 4.0V ， 6.0V ， 12.5V 。这
电源必须能够提供500毫安平均，和图1A
动态的，电流的PROM编程过程中。该
电压之间切换时，电源的上升和下降时间
年龄不得超过1ms更快。
2.地址驱动器必须能够提供一个V
IH
4.0V的
与6.0V和V
IL
当系统处于编程
电压。 （见注）
3.控制输入缓冲器必须能够保持输入
的电压电平
≥
70％和
≤
20% V
CC
对于V
IH
和V
IL
水平上。请注意，芯片使能（ E）和G
不需要上拉至编程电压电平。
程序控制（ P）必须切换从地面到VIH
和V
IH
于V
CC
PGM水平。 （见注）
4.数据输入缓冲器必须能够吸收高达3毫安
从PROM的输出引脚无上涨超过
0.7V地上，能够容纳其他输出高
与0.5毫安对2.0毫安，和一个电流源能力
不会干扰读取和验证数据的
输出PROM的。请注意，一个位进行编程
从低状态改变（Ⅴ
OL
）到高（Ⅴ
OH
）拉
低输出引脚。一个建议的实施
开路集电极TTL缓冲器（或逆变器）用4.7kΩ的上拉
电阻到V
CC
。 （见注）
注意：不要让任何输入或输出引脚上升超过0.3V
上述V
CC
，或下降超过地面以下0.3V 。
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