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初步
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度.................................- 55 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
DD
相对于GND ........ -0.3V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[10]
............................... -0.5V到V
DDQ
+ 0.5V
直流输入电压
[10]
............................ -0.5V到V
DDQ
+ 0.5V
CY7C1484V33
CY7C1485V33
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
Com'l
环境
温度。
[11]
0°C
70°C
V
DD
3.3V +5% /–5%
V
DDQ
2.375V(min.)
V
DD
（ MAX 。 ）
电气特性
在整个工作范围
参数
V
DD
V
DDQ
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
X
描述
电源电压
I / O电源电压
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[10]
输入负载电流
模式的输入电流
ZZ的输入电流
I
OZ
I
DD
输出漏
当前
V
DD
工作电源
输入= V
SS
GND < V
I
＆ LT ; V
DDQ ，
输出禁用
V
DD
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
CYC
最大。 V
DD
，设备
取消选择，
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
f = f
最大
= 1/t
CYC
最大。 V
DD
，设备
取消选择，V
IN
＆ LT ; 0.3V或V
IN
＆ GT ; V
DDQ
0.3V ， F = 0
最大。 V
DD
，设备
取消或V
IN
＆ LT ; 0.3V或
V
IN
＆ GT ; V
DDQ
– 0.3V
f = f
最大
= 1/t
CYC
最大。 V
DD
，设备
取消选择，V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ;
V
IL
, f = 0
250兆赫
200兆赫
167兆赫
I
SB1
自动CE
掉电
目前-TTL输入
自动CE
掉电
目前， CMOS输入
自动CE
掉电
目前， CMOS输入
自动CE
掉电
目前-TTL输入
250兆赫
200兆赫
167兆赫
所有速度等级
GND < V
I
＆ LT ; V
DDQ
V
DD
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
DD
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
V
DD
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
V
DD
=最小值，我
OL
= 1.0毫安
3.3V
2.5V
3.3V
2.5V
3.3V
2.5V
3.3V
2.5V
2.0
1.7
–0.3
–0.3
0.8
0.7
5
30
30
5
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
测试条件
分钟。
3.135
2.375
2.4
2.0
0.4
0.4
马克斯。
3.465
V
DD
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
SB2
I
SB3
250兆赫
200兆赫
167兆赫
所有速度等级
待定
待定
待定
待定
mA
mA
mA
mA
I
SB4
阴影区域包含预览。
注意事项：
10.最小电压等于-2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
11. T
A
是温度。
文件编号： 38-05285修订版**
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