NTP85N03 ， NTB85N03
功率MOSFET
85安培， 28伏
N沟道TO- 220和D
2
PAK
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
典型应用
http://onsemi.com
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
85安培
28伏
R
DS （ ON）
= 6.1毫瓦（典型值）。
N沟道
D
价值
28
"20
85*
190
80
0.66
55
to
+150
733
ADC
APK
W
W / ℃，
°C
1
TO220AB
CASE 221A
风格5
2
3
单位
VDC
VDC
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
G
4
S
1
2
3
D
2
PAK
CASE 418AA
方式2
4
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
- 连续
漏电流
- 连续@ T
C
= 25°C
- 单脉冲（T
p
= 10
女士）
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 28伏，V
GS
= 10 VDC ， L = 5.0 mH的，
I
L（ PK）
= 17 A， RG = 25
W)
热阻
结到外壳
结到环境（注1 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
E
AS
mJ
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
° C / W
R
QJC
R
qJA
T
L
1.55
70
260
°C
NTx85N03
LLYWW
1
门
2
漏
3
来源
1
门
NTx85N03
LLYWW
4
漏
4
漏
1.当表面安装用1 “垫尺寸为FR4板，
在（铜面积1.127
2
).
*芯片电流能力受限包。
2
漏
3
来源
NTx85N03
x
LL
Y
WW
=器件代码
= P或B
=地点代码
=年
=工作周
订购信息
设备
NTP85N03
NTB85N03
NTB85N03T4
包
TO220AB
D
2
PAK
D
2
PAK
航运
50单位/铁
50单位/铁
800 /磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年10月 - 第1版
出版订单号：
NTP85N03/D
