HM-65262
时序波形
（续）
（ 8 ） TAVAX
A
（20） TAVEH
（ 18 ）塔维尔
E
（21） TELEH
（19） TEHAX
（ 22 ） TWLEH
W
（16） TWHQX
（ 23 ） TDVEH
D
(24)
tEHDX
（4） TELQX
Q
（15） TWLQZ
（7） TEHQZ
注意：
1.在这种模式下，W升高后E.如果宽E由时间超过TWLQZ （最大） TELQX （最小值）前下降和E后，由上升时间超过
TEHQZ （最大值） TWHQZ （最小值） ，则Q将保持在高阻抗状态，在整个周期。
图4.写周期2 ：控制下的E（早期写）
低电压数据保留
Intersil的CMOS RAM的设计有电池备份
脑海。数据保持电压和供电电流被瓜拉尼
开球温度过高。以下规则保证数据
保留：
1.芯片启用（ E）必须在数据保留追究高;
在V
CC
到V
CC
+0.3V.
2.在RAM中具有选择和输出使能（例如， S，
G） ，其中一个选择或输出使能应在中国北京举行
取消选择状态，以保持RAM输出高
阻抗，减少功耗。
3.输入其要高举（例如， E）必须保持
V之间
CC
+ 0.3V和V 70 ％
CC
电源时
向上和向下转换。
4. RAM可以> 55ns后V开始运行
CC
到达
的最小工作电压（ 4.5V ） 。
数据保留
模式
V
CC
4.5V
V
CC
≥
2.0V
4.5V
>55ns
E
V
CC
-0.3V到V
CC
+0.3V
图5.数据保留时序
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