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超前信息
Am29LV102B
2兆位（ 256千×8位）
CMOS 3.0伏只，引导扇区32个引脚闪存
特色鲜明
s
单电源工作
- 全电压范围： 2.7 3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
- 稳压电压范围： 3.0 3.6伏读取和
写操作和用于与高兼容性
高性能3.3伏微处理器
s
在0.35微米制程技术制造的
s
高性能
- 全电压范围：存取时间快70纳秒
为快速存取时间：稳压电压范围 -
55纳秒
s
超低功耗
- 自动休眠模式： 1 μA （在标准值
5兆赫）
- 待机模式： 1 μA
- 读取模式： 7毫安
- 编程/擦除模式： 15毫安
s
灵活的部门架构
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
3个64字节扇区
- 任何部门的结合可以被删除;
支持整片擦除
- 扇区保护功能：
锁定一个部门，以防止硬件方法
内的任何程序或擦除操作
扇形
部门可以通过编程来锁定
设备
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解锁绕道程序命令
降低了总体规划的时候
发行多个程序的命令序列
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嵌入式算法
- 自动嵌入式擦除算法
预编程和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
最低百万写入/擦除周期
保证
s
封装选项
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
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与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
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数据＃查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除周期完成
s
擦除挂起/恢复
- 支持自编程或读取数据
数据扇区没有被删除
本文件包含有关正在开发的产品，在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品，恕不另行通知。 98年2月9日
出版＃
21259
启：
A
Amendment/0
发行日期：
1998年1月
请参考AMD的网站（ www.amd.com ）了解最新信息。
