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256Mb的F-死DDR2 SDRAM
DDR2 SDRAM
注意事项：
1. IDD规格测试后，该设备已正确初始化
2.输入转换率是通过交流参数测试条件规定
3. IDD参数指定了ODT禁用。
4.数据总线由DQ ， DM ， DQS ， DQS \\ ， RDQS ， RDQS \\ ， LDQS ， LDQS \\ ， UDQS和UDQS \\的。 IDD值必须满足所有combi-
EMRS的国家10位和11 。
5.定义为IDD
LOW定义为输入电压
≤
VILAC （最大）
HIGH定义为输入电压
≥
VIHAC （分钟）
稳定的被定义为输入稳定在高电平或低电平
浮动是指在输入VREF = VDDQ / 2
切换的定义如下：
输入的地址和控制高和（每两个时钟一次）低每隔一个时钟周期的变化
的信号，并
投入DQ信号不包括HIGH和LOW所有其他数据传输（每时钟周期一次）之间的变化
口罩或闪光。
为了IDD测试，下面的参数被用于
DDR2-667
参数
CL （ IDD）
的tRCD （ IDD）
tRC的（ IDD）
tRRD(IDD)-x4/x8
tRRD(IDD)-x16
TCK （ IDD）
tRASmin （ IDD）
激进党（ IDD）
tRFC （ IDD）
5-5-5
5
15
60
7.5
10
3
45
15
105
DDR2-533
4-4-4
4
15
60
7.5
10
3.75
45
15
105
DDR2-400
3-3-3
3
15
55
7.5
10
5
40
15
105
单位
TCK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
详细IDD7
详细的定时图所示为IDD7 。
注： A =有效; RA =读与Autoprecharge ; D =取消
IDD7 ：工作电流：所有银行交错读取操作
所有的银行都被交错最低的tRC （ IDD）在不违反TRRD （ IDD）使用4.控制和地址总线上的突发长度
输入是在取消选择稳定。 IOUT = 0毫安
时序模式的4个银行设备X4 / X8 / X16
-DDR2-400 3/3/3
A0 RA0 RA1 A1 A2 A3 RA2 RA3 D D D
-DDR2-533 4/4/4
A0 RA0 RA1 A1 A2 RA2 RA3 A3 D D D D D
-DDR2-667 5/5/5
A0 DD RA0 RA1 A1 A2 DD DD RA2 RA3 A3 DDDDDD
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修订版1.5 2005年2月
