256Mb的F-死DDR2 SDRAM
对于被测施加到器件的下降信号。
DDR2 SDRAM
31.输入波形定时从在V的输入信号交叉引用
IH （AC）的
一个上升信号和V级
白细胞介素（AC）的
32.输入波形定时从在V的输入信号交叉引用
IH（ DC）的
一个上升信号和V级
IL （ DC ）
对于被测施加到器件的下降信号。
CK
CK
TIS
TIH
TIS
TIH
V
DDQ
V
IH （AC）的
民
V
IH（ DC）的
民
V
REF （ DC ）
V
IL （ DC ）
最大
V
白细胞介素（AC）的
最大
V
SS
33. tWTR是租赁两个时钟（ 2 * TCK ）独立的操作频率。
与单端数据选通信号34的输入波形定时启用致辞[位10 ] = 1时，从输入的参考
在VIH （交流）电平的单端数据选通道口VIH / L（直流）在其转录的起始信号交叉
习得的上升信号，并从设置在VIL （交流）的输入信号电平交叉的单端数据选通信号
渡VIH / L（直流）在其下测试对器件施加一个下降沿信号转变的开始。在DQS
信号必须是单调的VIL（ DC）最大和VIH （ DC）分之间。
与单端数据选通信号35，输入波形定时启用致辞[位10 ] = 1时，从输入的参考
在VIH（直流）电平的单端数据选通道口VIH / L的（交流）在其跃迁的末尾信号交叉
灰为一个上升的信号，并从设置在VIL（直流）电平的单端数据选通信号的输入信号交叉
渡VIH / L的（交流）在其下测试对器件施加一个下降沿信号过渡的结束。在DQS
信号必须是单调的VIL（ DC）最大和VIH （ DC）分之间。
3个时钟36 tCKEmin意味着CKE必须在三个连续正时钟边沿登记。 CKE
必须保持在有效的输入电平才能实现registeration的3个时钟脉冲的整段时间。因此，后
任何CKE转变， CKE可能无法从它的有效电平期间TIS + 2 * TCK +载通的时间段transitioin 。
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修订版1.5 2005年2月
