256Mb的F-死DDR2 SDRAM
参数
符号
DDR2-667
民
模式寄存器设置
指令周期时间
写后同步
写序言
地址和控制
输入保持时间
地址和控制
输入建立时间
阅读序言
阅读后同步
积极主动
指挥期限
1KB的页面大小
制品
积极主动
指挥期限
2KB页大小
制品
四激活窗口
为1KB的页面大小
制品
四激活窗口
为2KB页大小
制品
CAS到CAS命令
延迟
写恢复时间
自动预充电写
复苏+预充电
时间
内部写读
命令延迟
内部读取到
预充电命令
延迟
退出自刷新到
非读命令
退出自刷新到
读命令
退出预充电电源
下降到任何非读
命令
主动退出掉电
读命令
超过tMRD
2
DDR2 SDRAM
DDR2-533
民
2
DDR2-400
民
2
单位
笔记
最大
x
最大
x
最大
x
TCK
tWPST
tWPRE
TIH （基峰）
0.4
0.35
275
0.6
x
x
0.4
0.35
375
0.6
x
x
0.4
0.35
475
0.6
x
x
TCK
TCK
ps
19
14,16,
18,23
14,16,
18,22
28
28
12
TIS （基地）
200
x
250
x
350
x
ps
tRPRE
tRPST
TRRD
0.9
0.4
7.5
1.1
0.6
x
0.9
0.4
7.5
1.1
0.6
x
0.9
0.4
7.5
1.1
0.6
x
TCK
TCK
ns
TRRD
10
x
10
x
10
x
ns
12
tFAW
37.5
37.5
37.5
ns
tFAW
50
50
50
ns
TCCD
2
2
2
TCK
tWR的
tDAL
15
WR + TR
P
x
x
15
WR + TR
P
x
x
15
WR + TR
P
x
x
ns
TCK
23
Twtr
7.5
x
7.5
x
10
x
ns
33
tRTP
7.5
7.5
7.5
ns
11
tXSNR
tRFC +
10
200
tRFC +
10
200
tRFC +
10
200
ns
tXSRD
TCK
TXP
2
x
2
x
2
x
TCK
tXARD
2
x
2
x
2
x
TCK
9
第18页27
修订版1.5 2005年2月
