8XC196MD
工艺信息
该器件制造上PX29.5 ，一CHMOS
III -E的过程。额外的工艺和可靠性Infor公司
息是可用的
英特尔
质量体系
手册。
表2. 8XC196MD存储器映射
描述
外部存储器或I / O
内部ROM / EPROM或外部
内存（由EA决定）
版权所有。必须包含FFH 。
（注5 ）
PTS载体
上中断向量
ROM / EPROM安全码
272323 – 2
地址
0FFFFH
06000H
5FFFH
2080H
207FH
205EH
205DH
2040H
203FH
2030H
202FH
2020H
201FH
201CH
201BH
201AH
2019H
2018H
2017H
2014H
2013H
2000H
1FFFH
1F00H
1EFFH
0200H
01FFH
0018H
0017H
0000H
x
x
版权所有。必须包含FFH 。
（注5 ）
版权所有。必须包含20H
（注5 ）
注意：
的EPROM可作为一次性可编程
（ OTPROM ）而已。
CCB1
版权所有。必须包含20H
（注5 ）
CCB0
版权所有。必须包含FFH 。
（注5 ）
较低的中断向量
SFR公司
外部存储器
488字节RAM寄存器（注1 ）
CPU SFR的（注1。3 ）
图2. 8XC196MD家庭命名
表1.热特性
包
TYPE
PLCC
QFP
θ
ja
35
°
C / W
56
°
C / W
θ
jc
13
°
C / W
12
°
C / W
所有的热阻抗数据是近似的静态空气
在功耗1W的条件。值将发生变化
取决于操作条件和应用。看
英特尔
包装手册
（订单号240800 ）的
英特尔的热阻抗测试方法的说明。
注意事项：
在位置0000H到01FFH执行1.代码会
强制外。
2.保留的内存位置必须包含0FFH ，除非
指出。
3.保留SFR位的位置必须包含0 。
4.参考8XC196MC的SFR描述。
5.警告：保留的内存位置不得
写入或读出。的内容和/或这些某一地址的函数
阳离子可以改变与设备的未来版本。
因此，一个程序，它依赖于一个或一个以上的这些
地点可能无法正常工作。
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