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初步
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GS882Z18/36B-11/100/80/66
GS882Z18 / 36 BGA引脚说明
引脚位置
U2
U3
U5
U4
J 2 ，C 4， J4 ，R 4， d 6
D3，E3 ，F3， H3 ，K3， M3 ，N3， P3 ，D5
E5， F5 ，H5， K5 ，M5， N5 ，P5
A 1， F 1 ，J 1 ， M 1， U 1 ，A7 ，F7， J7 ，M7
U7
符号
TMS
TDI
TDO
TCK
V
DD
V
SS
V
DDQ
TYPE
I
I
O
I
I
I
I
描述
扫描测试模式选择
扫描测试数据
扫描测试数据输出
扫描测试时钟
核心供电
I / O和核心地
输出驱动器电源
BPR2000.002.14
功能细节
时钟
时钟的无效置到达RAM中的内部电路使能（ CKE ）输入块的时钟输入。它可用于
暂停RAM的操作。如果不遵守时钟使能建立或保持要求，将导致运行不稳定。
管道模式读取和写入操作
所有输入（除输出允许，线性突发顺序和休眠）的同步时钟的上升沿。单曲循环
读取和写入操作必须使用前进/负载引脚（ ADV ）启动保持为低电平，以加载新的地址。设备
激活是通过确认所有三个芯片使能输入完成（E
1
, E
2,
与ê
3
） 。的使能任一项的无效
输入将停用的设备。
功能
读
写字节??一??
写字节“B”
写字节“C”
写字节“D”
写的所有字节
写入中止/ NOP
W
H
L
L
L
L
L
L
B
A
X
L
H
H
H
L
H
B
B
X
H
L
H
H
L
H
B
C
X
H
H
L
H
L
H
B
D
X
H
H
H
L
L
H
开始读操作时，同时满足下列条件时时钟的上升沿： CKE为低电平时，所有三个
芯片使能（ E1，E2和E3 ）是活动的，在写使能输入信号W置为无效高电平，并且ADV被置为低电平。地址
呈现给所述地址输入锁存到地址寄存器，并提交给存储器核心和控制逻辑。控制
逻辑确定读访问过程中，允许所请求的数据传播到输出寄存器的输入端。在
时钟的下一个上升沿的读数据被允许通过输出寄存器和到输出引脚传播。
发生写操作时，所选择的RAM ， CKE是积极的写输入采样为低电平，在时钟的上升沿。
冯： 1.15 6/2001
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1998 ，千兆半导体公司
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com
