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初步
.
GS882Z18/36B-11/100/80/66
冲测量和定时
V
IH
V
DD
+ 2.0 V
V
SS
50%
V
SS
– 2.0 V
20 ％ TKC
V
IL
50%
V
DD
超调测和定时
20 ％ TKC
电容
(T
A
= 25
o
C，F = 1 MH
Z
, V
DD
= 3.3 V)
参数
输入电容
输入/输出电容
注：这些参数样本进行测试。
符号
C
IN
C
I / O
测试条件
V
IN
= 0 V
V
OUT
= 0 V
典型值。
4
6
马克斯。
5
7
单位
pF
pF
封装热特性
等级
结到环境（在200 LFM ）
结到环境（在200 LFM ）
结到外壳（顶部）
层板
单身
FOUR
—
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJC
最大
40
24
9
单位
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
1,2
1,2
3
注意事项：
1.结温是SRAM的功耗，封装热阻，安装板温度，环境的函数。 Temper-
ATURE空气流，板密度，和印刷电路板的耐热性。
2. SCMI G- 38-87
模和顶面之间3.平均热电阻， MIL SPEC- 883 ，方法1012.1
冯： 1.15 6/2001
16/34
1998 ，千兆半导体公司
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com
