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初步
识别寄存器定义
指令字段
版本号( 31:29 )
部门人数( 27:25 )
电压( 28&24 )
建筑学( 23:21 )
内存类型( 20点18分)
设备宽度( 17:15 )
器件密度( 14:12 )
赛普拉斯JEDEC ID ( 11 : 1 )
ID寄存器存在( 0 )
x 18
000
101
00
000
001
010
100
x36
000
101
00
000
001
100
100
x72
000
101
00
000
001
110
100
建筑类型
定义的存储器类型
定义宽度的SRAM。 X36或X18
定义了SRAM的密度
部门人数
描述
保留的版本号
CY7C1481V33
CY7C1483V33
CY7C1487V33
0000011 0000011 0000011允许SRAM供应商的唯一标识
0100
0100
0100
1
1
1
表明的ID寄存器中的存在
扫描寄存器大小
注册名称
指令
绕行
ID
边界扫描
位大小( X18 )
3
1
32
待定
位大小( X36 )
3
1
32
待定
位大小( X72 )
3
1
32
待定
识别码
指令
EXTEST
IDCODE
SAMPLE Z
版权所有
CODE
000
001
010
011
描述
捕捉输入/输出环的内容。宿TDI之间的边界扫描寄存器
TDO 。强制所有SRAM输出高阻状态。该指令并不1149.1标准。
加载ID注册的供应商ID代码,并将TDI和TDO之间的寄存器。这
操作不会影响SRAM的工作。
捕获的输入/输出内容。地方TDI和TDO之间的边界扫描寄存器。
强制所有SRAM输出驱动器为高阻状态。
请勿使用:此指令留作将来使用。
捕捉输入/输出环的内容。地方TDI和TDO之间的边界扫描寄存器。
不影响SRAM的工作。此指令不落实1149.1预紧功能
因此,不符合1149.1 。
请勿使用:此指令留作将来使用。
请勿使用:此指令留作将来使用。
地方TDI和TDO之间的旁路寄存器。此操作不会影响SRAM的工作。
SAMPLE / PRELOAD 100
版权所有
版权所有
绕行
101
110
111
边界扫描顺序( 2M ×36 )
位#
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
信号
名字
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
ID
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
位#
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
信号
名字
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
ID
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
边界扫描顺序( 2M ×36 )
(续)
位#
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
信号
名字
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
ID
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
位#
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
信号
名字
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
ID
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
第17页30
文件编号: 38-05284修订版**

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