RN1007~RN1009
东芝晶体管NPN硅外延式（ PCT程序）
RN1007,RN1008,RN1009
开关，逆变电路，接口电路
和驱动器电路应用
l
利用内置的偏置电阻
l
简化电路设计
l
减少部件数量和制造工艺的数量
l
为了配合RN2007 RN2009
单位：mm
等效电路和偏置电阻值的
型号
RN1007
RN1008
RN1009
R1 （ kΩ）连接
10
22
47
R2值（kΩ ）
47
47
22
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
RN1007
发射极 - 基极电压
RN1008
RN1009
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
I
C
P
C
T
j
T
英镑
V
EBO
符号
V
CBO
V
首席执行官
等级
50
50
6
7
15
100
400
150
55~150
mA
mW
°C
°C
V
单位
V
V
JEDEC
EIAJ
东芝
重量： 0.21克
TO-92
SC-43
2-5F1B
1
2001-06-07
