位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1123页 > SST37VF020-90-3C-PH > SST37VF020-90-3C-PH PDF资料 > SST37VF020-90-3C-PH PDF资料4第7页
512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位多用途闪存
SST37VF512 / SST37VF010 / SST37VF020 / SST37VF040
数据表
AC特性
表9 ：v
EAD
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
V
DD
= 2.7-3.6V
（大= 0 ° C至+ 70°C （商业） ）
SST37VF512-70
SST37VF010-70
SST37VF020-70
SST37VF040-70
符号
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ1
T
OLZ1
T
CHZ1
T
OHZ1
T
OH1
参数
读周期时间
芯片使能存取时间
地址访问时间
输出启用访问时间
CE＃低电平至输出
OE ＃低到有源输出
CE＃高到高阻输出
OE ＃高到高阻输出
从地址变更输出保持
0
0
0
30
30
民
70
70
70
35
最大
SST37VF512-90
SST37VF010-90
SST37VF020-90
SST37VF040-90
民
90
90
90
45
0
0
30
30
0
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T9.2 397
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表10 ：P
ROGRAM
/E
RASE
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
V
DD
= 2.7-3.6V
（ TA = 25 ° C± 5 ° C）
符号
T
BP
T
CES
T
CEH
T
AS
T
AH
T
DS
T
DH
T
PRT
T
VPS
T
VPH
T
PW
T
EW
T
VR
T
艺术
T
A9S
T
A9H
参数
字节编程时间
CE＃建立时间
CE＃保持时间
地址建立时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
用于编程和擦除OE ＃上升时间
用于编程和擦除OE ＃安装时间
OE ＃保持时间的编程和擦除
WE＃编程脉冲宽度
WE＃擦除脉冲宽度
OE ＃ / A
9
恢复时间删除
A
9
上升时间为12V时擦除
A
9
擦除过程中建立时间
A
9
擦除过程中保持时间
民
12
1
1
1
1
1
1
1
1
1
10
100
1
1
1
1
15
500
最大
20
单位
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
T10.0 397
2001硅存储技术公司
S71151-02-000 5/01
397
7
