SFR/U9120
图7.击穿电压与温度的关系
12
.
25
.
P沟道
功率MOSFET
图8.导通电阻与温度的关系
-bv
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
20
.
11
.
15
.
10
.
10
.
@Nts ：
oe
1 V =-0V
.
GS
1
2 I = - 。一
.
D
30
-0
5
-5
2
0
2
5
5
0
7
5
10
0
15
2
10
5
15
7
09
.
@Nts ：
oe
1 V =0V
.
GS
2 I = 2 0
A
.
D
-5
-0
5
-5
2
0
2
5
5
0
7
5
10
0
15
2
10
5
15
7
05
.
08
.
-5
7
00
.
-5
7
T
J
，结温[
o
C]
T
J
，结温[
o
C]
图9.最大。安全工作区
1
2
0
图10.最大。漏电流与外壳温度
6
-I
D
，漏电流[ A]
1
1
0
01m
. s
1m
s
1 m
0 s
D
C
-I
D
，漏电流[ A]
1
2
0
Oeaini钛阂
prto HS RA
我L M T d设定B R
DS （ ON）
s IIE
5
4
3
1
0
0
@Nts ：
oe
1 T = 2
o
C
.
C
5
2 T = 1 0
o
C
.
J
5
3 SNL PLE
。 IGE美国
2
1
1
-1 0
0
1
0
1
1
0
0
2
5
5
0
7
5
10
0
o
15
2
10
5
-V
DS
，漏源电压[V]
T
c
，外壳温度[C]
图11.热响应
热响应
D=0.5
10
0
@注意事项：
1. Z
θ
J·C
(t)=3.91
o
C / W最大。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
J·M
-T
C
=P
D M
*Z
θ
J·C
(t)
P
.
DM
t
1.
t
2.
0.2
0.1
0.05
Z（ T）
10
-1
0.02
0.01
单脉冲
θ
JC
10
- 5
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
10
0
10
1
t
1
，方波脉冲持续时间
[秒]
