飞思卡尔半导体公司
电气和热特性
表4提供了封装热特性的PID7t - 603E 。
表4.封装热特性
特征
封装管芯结到外壳热阻（典型值）
封装管芯结对球的热阻（典型值）
符号
q
JC
q
JB
价值
CBGA
0.095
3.5
价值
PBGA
8.0
13
等级
° C / W
° C / W
注意：
参见1.8节， “系统设计信息， ”关于热管理的更多细节。
表5提供直流电气特性PID7t - 603E 。
表5.直流电气规格
飞思卡尔半导体公司...
VDD = AVDD = 2.5 ± 5 ％V DC ， OVDD = 3.3 ± 5 ％V DC ， GND = 0 V DC ， 0
Tj
105 °C
特征
输入高电压（除所有系统时钟输入）
输入低电压（除所有系统时钟输入）
系统时钟输入高电压
系统时钟输入低电压
输入漏电流，V
in
= 3.465 V
V
in
= 5.5 V
高阻（关闭状态）漏电流，V
in
= 3.465 V
V
in
= 5.5 V
输出高电压，I
OH
= 7
mA
输出低电压，I
OL
= 7
mA
电容，V
in
= 0 V ， F = 1兆赫（不包括TS ， ABB ， DBB和
ARTRY ）
符号
V
IH
V
IL
CV
IH
CV
IL
I
in
I
in
I
TSI
I
TSI
V
OH
V
OL
C
in
民
2.0
GND
2.4
GND
—
—
—
—
2.4
—
—
最大
5.5
0.8
5.5
0.4
30
300
30
300
—
0.4
10.0
V
V
V
V
单位
笔记
A
A
A
A
V
V
pF
1,2
1,2
1,2
1,2
3
电容，V
in
= 0 V ， F = 1兆赫（对于TS ， ABB ， DBB和ARTRY ）C
in
笔记
:
—
15.0
pF
3
1.不包括测试信号（ LSSD_MODE ， L1_TSTCLK ， L2_TSTCLK和JTAG信号） 。
2.渗漏测量标称OVDD和Vdd或两者OVDD和Vdd必须变化以相同的方向
（例如，这两个OVDD和Vdd通过为+ 5％或-5 ％之间变化） 。
3.电容周期性采样，而不是100 ％测试。
6
PID7t - 603E硬件规格
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