GALVANTECH

公司

异步

SRAM

特点

快速存取时间： 10 ，12，和15ns的

快速OE＃访问时间： 5，6，和为7ns

+ 3.3V单电源+ 0.3V电源

全静态 - 无时钟或定时选通脉冲必要

所有的输入和输出为TTL兼容

三态输出

中心的电源和接地引脚更大的抗噪声能力

易内存扩展与CE ＃和OE ＃选项

自动CE＃断电

高性能，低功耗的CMOS

双层多晶硅，双金属工艺

封装采用44引脚， 400万SOJ和44引脚， 400密耳

TSOP

GVT73256A16

革命引脚256K ×16

256K ×16的SRAM

+ 3.3V电源

革命引脚

一般DESCRIPTIO

该GVT73256A16是作为一个262,144 ×16

使用四晶体管存储器单元具有高的SRAM

性能，硅栅，低功耗的CMOS工艺。

Galvantech SRAM是采用双层制

多晶硅，双层金属技术。

该器件提供中心的电源和地引脚

改进的性能和抗干扰能力。静态设计

省去了外部时钟或定时选通信号。为

增加了系统的灵活性和消除总线争

的问题，此设备提供芯片使能（ CE ＃ ） ，独立字节

使能控制（BLE ＃和BHE ＃）和输出使能（OE ＃ ）

这个组织。

该器件提供低功耗待机模式，当芯片

没有被选中。这使得系统设计人员能够满足低

待机功耗要求。

选项

定时

10ns的访问

为12ns存取

15ns的访问

套餐

44引脚SOJ （ 400万）

44针TSOP （ 400万）

耗电量

标准

低

温度

广告

产业

记号

-10

-12

-15

引脚分配

44引脚SOJ

44针TSOP

A0

A1

A2

A3

A4

CE＃

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

VCC

VSS

DQ5

DQ6

DQ7

DQ8

WE＃

A5

A6

A7

A8

A9

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

J

TS

无

L

无

I

(

0°C

to

70°C)

(

-40°C

to

85°C)

A17

A16

A15

OE ＃

BHE ＃

BLE ＃

DQ16

DQ15

DQ14

DQ13

VSS

VCC

DQ12

DQ11

DQ10

DQ9

NC

A14

A13

A12

A11

A10

Galvantech ，公司3080 Oakmead村道，圣克拉拉，加利福尼亚州95051

电话：（ 408 ） 566-0688传真：（ 408 ） 566-0699网站http://www.galvantech.com

牧师九十九分之七

Galvantech ， Inc.保留昌权

e

产品或规格，恕不另行通知

.