STN7NF10
N沟道100V - 0.055
- 5A SOT- 223
低栅电荷的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STN7NF10
s
s
V
DSS
100 V
R
DS （ ON）
< 0.065
I
D
5A
2
典型
DS
（上） = 0.055
面向应用
表征
1
2
3
SOT-223
描述
该电源MOSFET系列产品实现了与STMicro-
电子产品独有的STripFET进程specifical-
LY旨在最大限度地减少输入电容和
栅极电荷。因此，适合于作为主
开关在先进的高效率隔离直流 - 直流
转换器电信和计算机应用。它
也适用于具有低门的任何应用程序
充电驱动要求。
内部原理图
应用
s
高效率的DC -DC转换器
s
UPS和电机控制
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
储存温度
工作结温
价值
100
100
±20
5
3.4
20
3.3
0.026
-55到150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
(
q
）脉冲宽度有限的安全工作区
2002年12月
1/8
