STB7NB40
N - 沟道增强型
的PowerMESH MOSFET
初步数据
TYPE
STB7NB40
s
s
s
s
s
s
V
DSS
400 V
R
DS （ ON）
< 0.9
I
D
7.0 A
典型
DS （ ON）
= 0.75
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
通孔版联系
销售办事处
3
1
D
2
PAK
TO-263
（后缀“ T4 ” ）
描述
采用了最新的高电压技术， SGS汤姆逊
设计功率MOSFET采用先进的家庭
出色的表现。新的正在申请专利的带
布局加上公司专有的边缘
终止结构，给出每面积的最低的RDS（on ） ，
呈雪崩和dv / dt的能力和
无与伦比的栅极电荷和开关特性。
内部原理图
应用
s
大电流，高开关速度
s
开关模式电源（ SMPS ）
s
DC -AC转换器，用于焊接
设备和不间断
电源和电机驱动器
绝对最大额定值
符号
参数
价值
STB7NB40
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
吨OT
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25 C
漏电流（连续）在T
c
= 100
o
C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25 C
降额F演员
的dv / dt （
1
)
T
英镑
T
j
峰值二极管恢复电压斜率
存储牛逼emperature
马克斯。操作摄像结温
o
o
UNI吨
400
400
±
30
7
4.4
28
100
0.8
4.5
-65到150
150
(
1
) I
SD
≤
图7A中， di / dt的
≤
200 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
， TJ
≤
T
JMAX
V
V
V
A
A
A
W
W / C
V / ns的
o
o
o
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
1997年10月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
