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三菱MEMORY CARD
静态RAM卡
18.时序要求（属性）
写周期
（大= 0 55 ° C， VCC = 5V ± 5 ％ ，除非另有说明）
符号
参数
TSU （ A）R
TSU （ CE ）R
日（CE ）R
T（ D- WEH ）R
日（D ）R
TSU （ OE -WE ）R
日（ OE -WE ）R
总重量（WE ）R
t
DL
R
t
BLC
R
tCWR
10 （ OE ）R
TREC （WE ）R
地址建立时间
CE＃建立时间
CE＃保持时间
数据建立时间
数据保持时间
OE ＃建立时间
OE ＃保持时间
把脉冲宽度
数据锁存时间
字节负载循环时间
写周期时间
输出使能时间从OE ＃
写恢复时间
范围
分钟。马克斯。
30
40
30
120
40
30
40
170
120
0.3
30
10
5
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
ms
ns
ns
时序图（属性）
读周期
Tcrr
An
V
IH
V
IL
V
IH
CE＃
V
IL
t
a(A)
R
TA （ CE ）R
t
V
（ A）R
10 （ CE ）R
V
IH
OE ＃
V
IL
10 （ OE ）R
TA （ OE ）R
t
DIS
（ CE ）R
TDIS （ OE ）R
V
OH
Dm
(D
OUT
) V
OL
WE＃ =“ H”电平
REG ＃ =“ L”电平
高阻
输出有效
三菱
电
10/16
1999年4月修订版1.2
