AS4LC8M8S0
AS4LC4M16S0
设备操作（续）
PIN设置
描述
CS = WE =低; RAS =使用爆裂停下来终止突发操作。该命令可以使用
突发停止
终止所有法律突发长度。
CAS =高
该行预充电命令预充电由BA0指定的银行，
CS = A10 = RAS = WE =
BA1 。预充电银行从主动切换到空闲状态并
低; CAS =高; A11 =
行预充电
准备好被重新激活。后断言预充电命令
银行的选择; A0 A9 =
t
RAS
该行激活命令中指定的银行（分钟） 。该
不在乎
预充电操作，需要时间t的
RP
（分钟）来完成。
CS = RAS = WE =低;
预充电所有命令同时预充电所有四家银行。
CAS = A10 =高;
全部预充电
BA0 BA1 =银行选择;所有四家银行被切换到空闲状态的预充电完成。
A0 A9 =不关心
CS = CAS = WE （写） =在自动预充电， SDRAM的内部调整时间，以满足
低; RAS = WE （读取） = T
RAS
（MIN）和叔
RP
用于编程的CAS延迟和突发长度。
A10 =高; BA0 BA1 =夫妇的自动预充电一阵读取/写入操作
银行的选择; A0 A9 = A10断言为高电平状态，同时读突发/写
自动预充电
列地址; （A9 =命令被发出，在自动预充电完成后，将指定的银行
不喜欢2M
×
8 ;从主动切换到空闲状态。注意，没有新的命令到
A8 ， A9 =不关心银行可以发行到指定的银行达到空闲状态。汽车
1M
×
16)
预充不带全页突发工作。
当CKE是低电平时，内部时钟被冻结或暂停从
在下一个时钟周期和输出的状态和突发地址被冻结。
时钟暂停/电源
如果所有银行都闲置和CKE变低时， SDRAM进入掉电
CKE =低
掉电模式进入
模式，在下一时钟周期。当在掉电模式下，没有输入
只要CKE仍然很低命令确认。要退出电源
关断模式，提高CKE CLK的上升沿之前高。
通过断言CKE高前上升恢复内部时钟操作
时钟暂停/电源
CKE =高
CLK的边缘。后续命令后就可以发出一个时钟周期
关断模式退出
退出命令的末尾。
SDRAM存储单元必须刷新一次64ms的保持数据
诚信。使用自动刷新命令刷新所有行的所有银行
的SDRAM中。行地址是由一个内部计数器提供
它会自动递增。自动刷新只能断言时，
CS = = RAS CAS =低;
所有四家银行处于闲置状态，设备不处于掉电模式。
WE = CKE =高;
自动刷新
以完成自动刷新操作所需的时间为t
RC
（最小值） 。
A0 A11 =不关心
使用NOP处于临时直到自动刷新操作完成。
这是最常见的刷新模式。它通常执行一次
每15.6us或一阵4096自动刷新周期每64毫秒。所有
4银行将在空闲状态下该操作之后。
自刷新是另一种模式用于刷新SDRAM的细胞。在这种模式下，
刷新地址和定时内部提供。自刷新条目
只允许在所有四家银行都处于闲置状态。内部时钟和所有
CS = = RAS CAS = CKE =输入缓冲器除CKE是在此模式下禁用。出口
低; WE =高; A0 A11自刷新通过重新启动外部时钟，然后断言CKE高。
自刷新
= DO NOT CARE
NOP公司必须遵循T的时间
RC
（分钟）用于SDRAM到达
空闲状态下是允许的正常运行。如果爆裂自动刷新时
在正常操作中，之后立即爆裂4096自动刷新周期
在退出自刷新。
命令
7/5/00
半导体联盟
11
