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AS4LC4M16S0
AS4LC16M4S0
设备操作
命令
PIN设置
描述
下面的序列必须先于正常执行
操作。
1.接通电源，启动时钟，并断言CKE和DQM高。所有其他
信号NOP 。
2.上电后，暂停了最低为200ps的。
CKE / DQM =高;所有其他NOP指令。
3.预充电两家银行。
4.执行模式寄存器设置命令初始化模式寄存器。
5.执行最低8自动刷新周期来稳定内部
电路。
（步骤4和5可以互换。 ）
该模式寄存器存储的SDRAM用户选择操作码
操作模式。 CAS延迟，突发长度，突发类型，测试模式
和其他供应商的特定功能选择/编程过程中
CS = = RAS CAS = WE =低;
该模式寄存器设置命令循环。的默认设置
A0 A11 =码
模式寄存器在上电后没有被定义。在上电和模式
寄存器设置循环之前必须正常运行的SDRAM中执行。
请参考模式寄存器设置表和时间的详细信息。
SDRAM中执行“无操作” （ NOP ）时， RAS ，CAS和
WE =高。由于NOP不执行任何操作时，它可以被用作
等待在执行正常的SDRAM功能状态。 SDRAM的是
取消当CS为高。 CS为高电平禁用命令解码器
这样的RAS ， CAS，WE和地址输入将被忽略。设备
取消选择也被认为是一个NOP 。
上电
模式寄存器设置
设备取消没有
手术
CS = HIGH
银行激活
SDRAM的配置有四个内部银行。使用银行
CS = RAS =低; CAS = WE =
激活命令，在空闲的银行之一选择一行。开始
高; A0 A10 =行地址;
读或T后，写操作
RCD
从银行的时间（分钟）
BA0 BA1 =银行选择
激活。
CS = CAS = A10 =低; RAS =
WE =高; BA0 BA1 =银行
选择， A0 A8 =列
地址; （ A9 =不关心
8M
×
8 ; A8 ， A9 =不关心
4M
×
16)
使用突发读取命令来访问一个连续的突发数据
从一个活跃的银行活动行。突发读取可以启动了
活动行的任何列地址。脉冲串长度，序列和
潜伏期由模式寄存器的设置来确定。第一输出
数据显示，从读命令的CAS延迟时间后。该
输出在脉冲串的末端进入高阻抗状态
（ BL = 1,2,4,8 ），除非有新的突发读取启动，形成无间隙
输出的数据流。终止一阵一阵的停止命令，
预充电命令到同一银行或其他突发读取/写入。
使用突发写入命令将数据写入到SDRAM上
连续的时钟周期，以邻接的列地址。爆
长度和寻址模式由模式寄存器确定的
操作码。在相同的时钟周期为输入的初始写入地址
突发写入命令。终止一阵停一阵
命令，预充电命令到同一银行或其他突发
读/写。
使用DQM屏蔽上一个周期接一个周期的基础上的输入和输出数据。它
禁止输出缓冲器中读出操作和掩码输入数据中
写操作。输出数据DQM无效后2个时钟
断言（ 2个时钟延迟） 。输入数据被掩蔽在相同的时钟
DQM断言（ 0时钟延迟） 。
突发读
突发写
CS = CAS = WE = A10 =低;
RAS =高; A0 A9 =列
地址; （ A9 =不关心
8M
×
8 ; A8 ， A9 =不关心
4M
×
16)
UDQM / LDQM （
×
16),
DQM （
×
8 ）操作
10
半导体联盟
7/5/00
