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SC70封装,单/双路低电压,
低功耗微处理器复位电路
MAX6381–MAX6390
典型工作特性
(T
A
= + 25 ℃,除非另有说明。 )
电源电流与温度的关系
(无负载)
MAX6381 / 90 TOC01
掉电复位延时
与温度的关系
MAX6381 / 90 toc02
归一化电复位超时
与温度的关系
归一化复位超时周期
MAX6381 / 90 toc03
9
8
电源电流( μA )
7
6
5
4
3
2
1
0
V
CC
= +5.5V
V
CC
= +3.6V
43
41
掉电复位延迟(微秒)
39
37
35
33
31
29
27
25
V
CC
= +1.8V
V
CC
= +3.0V
1.08
1.06
1.04
1.02
1.00
0.98
0.96
0.94
V
CC
= +2.5V
V
CC
= +1.8V
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
温度(℃)
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
温度(℃)
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
温度(℃)
归一化的复位门限
与温度的关系
MAX6381 / 90 toc04
输出电压低
与灌电流
MAX6381 / 90 toc05
输出电压高
与源电流
V
CC
= +2.5V
2.5
2.0
V
OH
(V)
1.5
1.0
V
CC
= +1.8V
MAX6381 / 90 toc06
1.020
归一化的复位门限
1.015
1.010
1.005
1.000
0.995
0.990
0.985
1.2
1.0
0.8
V
OL
(V)
0.6
V
CC
= +3.0V
0.4
0.2
0
0
3
6
I
SINK
(MA )
9
V
CC
= +4.5V
3.0
0.5
0
12
0
250
500
750
1000
1250
1500
I
来源
(A)
0.990
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
温度(℃)
最大瞬态持续时间
- 复位比较OVERDRIVE
MAX6381 / 90 toc07
RESET IN到复位延迟
与温度的关系
5.3
5.1
复位延时(微秒)
4.9
4.7
4.5
4.3
4.1
3.9
3.7
3.5
MAX6381 / 90 toc08
500
最大瞬态持续时间(微秒)
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
1
10
100
复位断言
这条线以上
5.5
1000
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
温度(℃)
复位比较OVERDRIVE ,V
TH
- V
CC
(毫伏)
4
______________________________________________________________________________________

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