源电极控制栅电极选择栅极电极漏极电极
CG
FG
薄的氧化膜
SG
反对派
N
+
P型衬底
N
+
N
+
GND
[数据重写]
数据重写是指注入或移除电子向或从FG 。在此过程中，电子
通过一个薄的氧化膜（反对派） 。该氧化膜本身充当绝缘体，但在这种情况下，
薄膜的导电性能（电子被转移） 。
[数据保存]
数据保存是指在预防中存储的FG电子的泄漏。这得放心
为至少10年。
为满足上述相互矛盾的性能，高品质的薄氧化膜（反对派）必须
制造。这样UTOS非常薄（ 10纳米的数量级上） ，并且稳定地制造它们
需要一个非常困难的技术。
<Remarks>
常见问题编号： 12022
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