飞利浦半导体
产品speci fi cation
四缓冲器/线路驱动器;三态
特点
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 -A
超过2000伏
MM EIA / JESD22 - A115 -A
超过200 V
CDM EIA / JESD22- C101
超过1000 V
平衡传输延迟
所有的输入有施密特触发器
操作
投入比接受更高的电压
V
CC
对于AHC只：
与CMOS输入电平工作
对于AHCT只：
与TTL电平输入操作
从指定的
40
至+85和+125
°C.
描述
该74AHC / AHCT126是
高速硅栅CMOS器件
引脚与兼容低
功率肖特基TTL （ LSTTL ） 。他们
与指定符合
JEDEC标准没有。 7A 。
该74AHC / AHCT126四
非反相缓冲器/线路驱动器与
三态输出。三态输出
（ NY ）由输出控制
使能输入（ NOE ）一个低点NOE
使输出假定一个
高阻关断状态。
该' 126'是相同的' 125 '，但
具有高电平有效使能输入。
记
1. H =高电压电平;
L =低电压电平;
X =不关心;
Z =高阻关断状态。
功能表
见注1 。
输入
诺埃
H
H
L
74AHC126 ; 74AHCT126
产量
nA
L
H
X
nY
L
H
Z
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
O
C
PD
参数
传播延迟
nA至纽约
输入电容
输出电容
功耗
电容
C
L
= 50 pF的;
F = 1兆赫;
注1和2
条件
AHC
C
L
= 15 pF的;
V
CC
= 5 V
V
I
= V
CC
或GND
3.3
3.0
4.0
10
AHCT
3.0
3.0
4.0
12
ns
pF
pF
pF
单位
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
钉扎
针
1，4， 10和13
2，图5 ，图9和12
3，图6 ，图8和11
7
14
符号
图10E至如图40E所示
1A至4A
1Y到4Y
GND
V
CC
2
描述
输出使能输入（高电平有效）
数据输入
数据输出
接地（ 0 V ）
直流电源电压
1999年09月29日
