位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第647页 > CY8C24794-SPC > CY8C24794-SPC PDF资料 > CY8C24794-SPC PDF资料1第18页
CY8C24794最终数据手册
3.电气规格
3.3.6
DC模拟参考规格
下表列出了许可的最大和最小规格的电压和温度范围： 4.75V到5.25V
和-40°C
≤
T
A
≤
85°C ，或3.0V至3.6V和-40°C
≤
T
A
≤
85°C ，分别。典型参数适用于5V和3.3V ，25° C和
仅供设计参考。
保证规格值通过模拟连续时间PSoC模块进行测量。的功率电平为AGND指
模拟连续时间PSoC模块的电源。功率电平为REFHI和RefLo的参考模拟参考控制
注册。说的AGND限制包括AGND缓冲区本地模拟连续时间PSoC模块的偏移误差。
参考控制功率高。
表3-11 。 5V DC模拟参考规格
符号
BG
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
AGND = VDD / 2
a
AGND = 2×隙
a
AGND = P [4] （P2 [4] = VDD / 2）
a
AGND =带隙
a
AGND = 1.6×隙
a
AGND座布洛克变化（ AGND = VDD / 2 ）
a
REFHI = VDD / 2 +隙
REFHI = 3×隙
REFHI = 2×隙+ P [6]（ P 2 [6] = 1.3V ）
REFHI = P [4] +带隙（P 2 [4] = VDD / 2）
REFHI = P [4] + P [6] （P 2 [4] = VDD / 2 ，P 2 [6] = 1.3V ）
REFHI = 3.2×隙
REFLO = VDD / 2 - 能带隙
REFLO =带隙
RefLo的= 2×隙 - P 2 [6]（ P 2 [6] = 1.3V ）
REFLO = P [4] - 的带隙（P 2 [4] = VDD / 2）
REFLO = P [4] -P2 [6] （P 2 [4] = VDD / 2 ，P 2 [6] = 1.3V ）
描述
带隙基准电压源
1.28
VDD / 2 - 0.04
2个BG - 0.048
P2[4] - 0.011
BG - 0.009
1.6× BG - 0.022
-0.034
民
1.30
VDD / 2 - 0.01
2个BG - 0.030
P2[4]
BG + 0.008
1.6× BG - 0.010
0.000
典型值
1.32
VDD / 2 + 0.007
2个BG + 0.024
P2[4] + 0.011
BG + 0.016
1.6× BG + 0.018
0.034
最大
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
单位
VDD
/ 2 + BG - 0.10
3× BG - 0.06
2× BG + P [6] - 0.113
P2 [ 4] + BG - 0.130
P2[4] + P2[6] - 0.133
3.2× BG - 0.112
VDD
/ 2 + BG
3× BG
2× BG + P [6] - 0.018
P2 [ 4] + BG - 0.016
P2[4] + P2[6] - 0.016
3.2× BG
VDD
/ 2 + BG + 0.10
3× BG + 0.06
2× BG + P [6] + 0.077
P2 [ 4] + BG + 0.098
P2[4] + P2[6]+ 0.100
3.2× BG + 0.076
VDD
/ 2 - BG - 0.04
BG - 0.06
2× BG - P 2 [6] - 0.084
P2 [4] - BG - 0.056
P2[4] - P2[6] - 0.057
VDD
/ 2 - BG
+
0.024
BG
2× BG - P 2 [6] + 0.025
P2 [4] - 的BG + 0.026
P2[4] - P2[6] + 0.026
VDD
/ 2 - BG + 0.04
BG + 0.06
2× BG - P 2 [6] + 0.134
P2 [4] - 的BG + 0.107
P2[4] - P2[6] + 0.110
一。 AGND宽容包含在PSoC模块的本地缓冲区的偏移量。带隙电压为1.3V ± 0.02V 。
表3-12 。 3.3V DC模拟参考规格
符号
BG
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
AGND =
Vdd/2
a
描述
带隙基准电压源
AGND = 2×隙
a
AGND = P [4] （P2 [4] = VDD / 2）
AGND =
带隙
a
AGND = 1.6×隙
a
AGND色谱柱的变化（ AGND = VDD / 2 ）
a
REFHI = VDD / 2 +隙
REFHI = 3×隙
REFHI = 2×隙+ P [6]（ P 2 [6] = 0.5V ）
REFHI = P [4] +带隙（P 2 [4] = VDD / 2）
REFHI = P [4] + P [6] （P 2 [4] = VDD / 2 ，P 2 [6] = 0.5V ）
REFHI = 3.2×隙
REFLO = VDD / 2 - 能带隙
REFLO =带隙
RefLo的= 2×隙 - P 2 [6]（ P 2 [6] = 0.5V ）
REFLO = P [4] - 的带隙（P 2 [4] = VDD / 2）
REFLO = P [4] -P2 [6] （P 2 [4] = VDD / 2 ，P 2 [6] = 0.5V ）
1.28
VDD / 2 - 0.03
不允许
P2[4] - 0.008
BG - 0.009
1.6× BG - 0.027
-0.034
不允许
不允许
不允许
不允许
P2[4] + P2[6] - 0.075
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
P2[4] - P2[6] - 0.048
P2[4]- P2[6] + 0.022
P2[4] - P2[6] + 0.092
V
P2[4] + P2[6] - 0.009
P2[4] + P2[6] + 0.057
V
P2[4] + 0.001
BG + 0.005
1.6× BG - 0.010
0.000
P2[4] + 0.009
BG + 0.015
1.6× BG + 0.018
0.034
V
V
V
V
民
1.30
VDD / 2 - 0.01
典型值
1.32
VDD / 2 + 0.005
最大
V
V
单位
一。 AGND宽容包含在PSoC模块的本地缓冲区的偏移量。带隙电压为1.3V ± 0.02V 。
2005年4月14日
文件编号38-12018牧师* F
18
