WTE

功率半导体

SB1020DC - SB10100DC

10A

2

PAK表面贴装肖特基整流器

特点

!

!

肖特基芯片

C

J

保护环片施工

A

瞬态保护

!

高电流能力

!

低功耗，高效率

B

!

高浪涌电流能力

D

E

销1

2

3

!

为了在低电压，高频率

逆变器，续流和极性

G

保护应用

H

K

P

P

D

2

PAK/TO-263

暗淡

民

最大

A

9.8

10.4

B

9.6

10.6

C

4.4

4.8

D

8.5

9.1

E

—

0.7

G

1.0

1.4

H

—

0.9

J

1.2

1.4

K

0.3

0.7

P

2.35

2.75

尺寸：mm

机械数据

!

!

!

!

!

!

!

案例：模压塑料

终端：每焊镀信息

MIL- STD- 202方法208

极性：负极频带

重量：2.7克数（大约）

安装位置：任意

标记：型号数量

标准包装： 24毫米磁带（ EIA- 481 ）

PIN 1 -

PIN 3 -

+

案例2 PIN

Potive CT

PIN 1 +

PIN 3 +

-

案例2 PIN

CT阴性

后缀为“N ”

最大额定值和电气特性

@T

A

= 25 ° C除非另有说明

单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。对于容性负载，减免电流20 ％ 。

SB

1020DC

SB

1030DC

SB

1040DC

SB

1050DC

SB

1060DC

SB

SB

单位

1080DC 10100DC

特征

反向重复峰值电压

工作峰值反向电压

阻断电压DC

RMS反向电压

平均整流输出电流@T

C

= 100°C

非重复峰值正向浪涌电流

8.3ms单半正弦波叠加

在额定负荷（ JEDEC的方法）

正向电压

峰值反向电流

在额定阻断电压DC

@I

F

= 10A

@T

A

= 25°C

@T

A

= 100°C

符号

V

RRM

V

RWM

V

R

V

R（ RMS ）

I

O

I

FSM

V

FM

I

RM

C

j

R

θJA

T

j

, T

英镑

20

14

30

21

40

28

50

35

10

150

60

42

80

56

100

70

V

V

A

A

0.55

0.5

50

600

60

0.75

0.85

V

mA

pF

K / W

°C

典型结电容（注1 ）

典型热阻结到环境

工作和存储温度范围

-50至+150

注：1，测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压

SB1020DC - SB10100DC

1第3

2002韩元鼎好电子