SCS152
8.0
设备特点
绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
T
S
V
ESD
分钟。
-0.3
-0.3
-55
—
马克斯。
6.0
6.0
+85
4000
单位
V
V
°C
V
描述
电源电压相对于GND
输入电压，相对于GND
储存温度
所有引脚的ESD保护（ HBM ）
表8-1：
表8-2：
DC特性
V
DD
: 5.0 V
±
10%
T
A
： -40 ° C至+ 85°C
描述
阅读时电流
编程时，电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
符号
I
DDR
I
DDP
V
IL
V
IH
V
OL
分钟。
—
—
—
3.0
—
典型值。
300
1.2
—
—
—
马克斯。
600
1.6
0.8
—
0.4
单位
A
mA
V
V
V
吸收电流，木卫一= 1毫安
条件
SDIO = V
DD
SDIO = V
DD
表8-3：
AC特性
V
DD
: 5 V
±
10%
T
A
： -40 ° C至+ 85°C
R
PU
= 10K
描述
从V时代
DD
高，直到器件接受的COM
MANDS
SCI的重叠与复位期间SCK
SCI和SCK的复位期间重叠期
SCK高
SCK低
SCK / SCI下降到SCI改BITPROG ，
ERASE ，等等。
BITPROT ，擦除等在SCI高脉冲
从SCI / SCK的下降沿改变SDIO
在复位
从SDIO在SCK的下降沿改变
RDBIT
在SCK的上升沿， SDIO三态
时间BITPROG在程序EEPROM ，
ERASE ， DECR擦除等。
时间从下降沿计算签名
其中，最后一个挑战位输入SCK
符号
T
POR
T
OX
T
R
T
H
T
L
T
C
T
S
T
D
1
T
D
2
T
D
3
T
PROG
T
标志
1.4
—
分钟。
—
2.0
35.0
10.0
10.0
5.0
2.0
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
1.8
1.8
4.5
—
—
马克斯。
3.5
—
—
—
—
—
—
—
4.7
—
3.4
2.5
单位
ms
s
s
s
s
s
s
s
s
s
ms
ms
1997 Microchip的技术公司
初步
DS40150B第13页
