P沟道
功率MOSFET
看图1，输出特性
V
GS
上图：
-1 V
5
-1 V
0
- 8.0 V
- 7.0 V
- 6.0 V
- 5.5 V
- 5.0 V
下图： - 4.5 V
SFS9530
如图2传输特性
-I
D
，漏电流[ A]
-I
D
，漏电流[ A]
1
1
0
1
1
0
1 5
o
C
7
1
0
0
2
o
C
5
@Nts ：
oe
1 V =0V
.
GS
1
0
0
@Nts ：
oe
1 2 0
S·P升（E T） s
. 5
美国东部
2 T = 2
o
C
.
C
5
1
0
-1
2 V =-0V
.
DS
4
- 5
o
C
5
美国东部
3 2 0
S·P升（E T） s
. 5
6
8
1
0
1
0
-1
1
-1
0
1
0
0
1
1
0
2
4
-V
DS
，漏源电压[V]
-V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻与漏电流
10
.
图4.源极 - 漏极二极管正向电压
-I
DR
，反向漏电流[ A]
R
DS （ ON）
, [
]
漏源导通电阻
08
.
1
1
0
06
.
V =-0V
1
GS
04
.
1
0
0
1 5
o
C
7
2
o
C
5
@Nts ：
oe
1 V =0V
.
GS
美国东部
2 2 0
S·P升（E T） s
. 5
15
.
20
.
25
.
30
.
35
.
40
.
45
.
50
.
02
.
V =-0V
2
GS
00
.
0
7
1
4
2
1
2
8
@ N T： T = 2
o
C
oe
J
5
3
5
4
2
1
-1
0
05
.
10
.
-I
D
，漏电流[ A]
-V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容与漏源电压
10
50
C = C + C（ C = SOTD ）
ISS GS GD
ds
H·R ê
C =C +C
OSS DS GD
C =C
RSS GD
图6.栅极电荷与栅源电压
1
0
电容[ pF的]
C
国际空间站
10
00
C
OSS
50
0
C
RSS
@Nts ：
oe
1 V =0V
.
GS
2 F = 1MZ
.
H
-V
GS
，栅源电压[V]
V =-0V
2
DS
V =-0V
5
DS
V =-0V
8
DS
5
@Nts ：I = 1 。一
oe
D
-05
0
0
5
1
0
1
5
2
0
2
5
3
0
3
5
0
0
1
0
1
1
0
-V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
