Si9100
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
UnlessOtherwise指定
参数
电流限制
阈值电压
延迟输出
e
V
来源
t
d
R
L
= 100
W
从漏极到V
CC
V
FB
= 0 V
R
L
= 100
W
从漏极到V
CC
V
来源
= 1.5 V，见图1
房间
房间
1.0
1.2
100
1.4
200
V
ns
范围
温度
b
民
c
典型值
d
最大
c
单位
符号
排放量=
V
IN
= 0 V
V
CC
= 10 V, +V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 390千瓦，R
OSC
= 330千瓦
预调节器/启动
输入电压
输入漏电流
预稳压器的启动电流
V
CC
预稳压器
关断阈值电压
欠压锁定
V
REG
V
UVLO
+V
IN
+I
IN
I
开始
V
REG
V
UVLO
V
DELTA
I
IN
= 10
mA
V
CC
w
10 V
脉冲Widthv300
ms
V
CC
= V
UVLO
I
预稳压器
= 10
mA
R
L
= 100
W
从漏极到V
CC
见详细说明
房间
房间
房间
房间
房间
房间
8
7.8
7.0
0.3
15
9.4
8.8
0.6
9.7
9.2
V
70
10
V
mA
mA
供应
电源电流
偏置电流
I
CC
I
BIAS
房间
房间
0.45
10
0.6
15
1.0
20
mA
mA
逻辑
关机延迟
e
关断脉冲宽度
e
复位脉冲宽度
e
锁存脉冲Widthe
关机和重设低
输入低电压
输入高电压
输入电流，输入电压高
输入电流，输入电压低
t
SD
t
SW
t
RW
t
LW
V
IL
V
IH
I
IH
I
IL
V
IN
= 10 V
V
IN
= 0 V
见图3
V
来源
=
V
IN
，参见图2
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
35
8.0
1
25
5
50
50
25
2.0
ns
50
100
V
mA
MOSFET开关
击穿电压
漏源导通电阻
g
流掉泄漏电流
漏极电容
V
（ BR ） DSS
r
DS （ ON）
I
DSS
C
DS
V
来源
= SHUTDOWN = 0 V
I
漏
= 100
mA
V
来源
= 0 V，I
漏
= 100毫安
V
来源
= SHUTDOWN = 0 V
V
漏
= 100 V
V
来源
= SHUTDOWN = 0 V
满
房间
房间
房间
35
150
180
3
5
10
V
W
mA
pF
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
C
杂散
引脚8 =
v
5 pF的
克。为r的温度系数
DS （ ON）
每0.75 ％
_C,
典型的。
文档编号： 70000
S- 42041 -REV 。 G， 15月， 04
www.vishay.com
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