飞利浦半导体
PSMN008-75P ; PSMN008-75B
N沟道增强模式音响场效晶体管
50
45
(A)
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
VGS = 0 V
175摄氏度
03ac70
15
VGS 14
( V ) 13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
V
DS
= 15 V
ID = 75A的
o
TJ = 25℃
!=?$'
VDS = 60 V
TJ = 25℃
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
VSD （V）的
2
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80 90 100
QG （ NC ）
T
j
= 25
°C
175
°C;
V
GS
= 0 V
I
D
= 75 A; V
DS
= 15 V和60 V
图14.来源（二极管的正向）的电流的一个函数
源极 - 漏极（二极管的正向）电压;典型
值。
图15，栅极 - 源极电压作为栅极的功能
充电;典型值。
9397 750 07495
飞利浦电子公司2000年版权所有。
产品speci fi cation
版本01 - 2000年9月18日
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