飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道逻辑电平的TrenchMOS 晶体管
特点
“海沟”
技术
极低的通态电阻
快速开关
低热阻
兼容逻辑电平
PSMN004-55W
快速参考数据
符号
d
V
DSS
= 55 V
I
D
= 100 A
R
DS （ ON）
≤
4.2毫欧（V
GS
= 10 V)
R
DS （ ON）
≤
4.5毫欧（V
GS
= 5 V)
g
s
R
DS （ ON）
≤
5毫欧（V
GS
= 4.5 V)
SOT429 （ TO247 ）
概述
SiliconMAX
产品采用最新的
飞利浦Trench技术来
达到尽可能低的
导通状态中的每个电阻
包在每个电压额定值。
应用： -
直流以直流转换器
开关模式电源
该PSMN004-55W在供应
在SOT429 （ TO247 ）常规
引线封装。
钉扎
针
1
2
3
TAB
门
漏
来源
漏
描述
1
2
3
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
连续的栅 - 源
电压
峰值脉冲栅源
电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
储存温度
条件
T
j
= 25 °C至175℃下
T
j
= 25 °C至175℃ ;
GS
= 20 k
T
j
≤
150 C
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 5 V
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 5 V
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
55
55
±
15
±
20
100
1
100
1
300
300
175
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
C
1
最大连续电流限制的包。
1999年10月
1
启1.100
