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AT8xC51SND1C
7.程序/代码
内存
该AT8xC51SND1C执行多达64K字节的程序/代码存储器。图10
示出了根据不同的内部和外部程序/代码存储器空间的分割
产品。
该AT83SND1C产品提供内部程序/代码存储在ROM存储器
而AT89C51SND1C产品提供了在Flash存储器中。这两个产品做
不允许外部程序存储器执行。外部程序存储器执行是
实现使用AT80C51SND1C产物，其不提供任何内部亲
克/代码存储器。
该闪存在电路中的电era-增加了EPROM和ROM功能
肯定和编程。需要进行编程或擦除闪存单元的高压
采用标准的V片上产生
DD
电压时，得以实现的内部
电荷泵。因此， AT89C51SND1C可以仅使用一个电压进行编程
并允许在应用软件编程。硬件编程模式也
可以使用通用的编程工具。请参阅应用笔记“规划
T89C51x和AT89C51x与器件编程器“ 。
该AT89C51SND1C实现片上引导闪存的额外4K字节
在Flash存储器中提供。这种引导存储器在出厂时编程标准
Boot Loader软件，允许在系统编程（ ISP） 。它也包含了一些
应用程序名为API程序，允许在应用程序编程接口例程
编程（IAP）通过用户自己的引导加载程序。
网络连接gure 10 。
程序/代码存储器组织
FFFFH
FFFFH
FFFFH
F000h
FFFFH
F000h
4K字节
引导闪存
64K字节
外部代码
64K字节
ROM代码
64K字节
代码闪存
0000h
0000h
0000h
AT80C51SND1C
AT83SND1C
AT89C51SND1C
17
4109H–8051–01/05
