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地址空间
该AT8xC51SND1C衍生品实现四种不同的地址空间：
程序/代码存储器
引导存储器
数据存储器
特殊功能寄存器（SFR ）
代码存储器
该AT89C51SND1C和AT83C51SND1C实现片上亲64K字节
克/代码存储器。该AT83C51SND1C产品提供了内部程序/代码
存储在ROM中的技术，而AT89C51SND1C产品提供了在Flash
技术。
Flash存储器通过使电路中的电擦除ROM增加功能
和编程。由于内部电荷泵，高电压所需要的亲
编程或擦除闪存单元是芯片上采用了标准的V产生
DD
电压。
因此， AT89C51SND1C可以仅使用一个电压进行编程，并允许在
应用软件编程俗称的IAP 。硬件编程
模式也可使用特定的编程工具。
引导存储器
该AT89C51SND1C实现4K闪存片上提供引导存储器字节
技术。这种引导存储器在出厂时编程标准的bootloader软
洁具允许在系统编程俗称的ISP。它也包含了一些
应用程序编程接口的例程通常称为API，从而允许用户对
发展自己的引导程序。
该AT8xC51SND1衍生品实现2304字节的片上数据RAM中。这MEM-
储器被分为两个独立的区域：
256字节片内RAM的内存（标准C51内存） 。
2048字节的片上扩展RAM的内存（ ERAM通过MOVX访问
说明）。
数据存储器
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AT8xC51SND1C
4106F–8051–10/02
