K6X8008C2B家庭
文档标题
1Mx8位低功耗和低电压CMOS静态RAM
CMOS SRAM
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
最初的草案
修订
- 删除的44 TSOP2-400R封装类型。
- 增加商业产品。
敲定
- 改变了我
CC
在10mA为6mA
- 改变了我
CC
1 10mA至7毫安
- 改变了我
CC
2在50mA 35mA的电流
- 改变了我
SB
从3毫安至0.4mA
- 改变了我
SB
1
（商业）
从40μA至25μA
- 改变了我
SB
1
（工业级）
从40μA至25μA
- 改变了我
SB
1
（汽车）
从50μA至40μA
- 改变了我
DR
（商业）
从30μA至15μA
- 改变了我
DR
（工业级）
从30μA至15μA
- 改变了我
DR
（汽车）
从40μA至30μA
草案日期
2002年10月31日
2002年12月11日
备注
初步
初步
1.0
2003年9月16日决赛
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，
产品。三星电子将回答有关设备yourquestions 。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
1
修订版1.0
2003年9月
