+5V
V
IN
*
的R的最小值
P
为1kΩ 。
CE
IN
2
V
OUT
R
P
*
GND
4
12
CE
OUT
CE
CE
内存
1
的R最大值
P
依赖
对RAM的连接数，N 。
V
CC
PFI
R
3
PFO
*C
1
R
1
13
R
2
*可选
GND
内存
2
连接
P
V
旅
=
1.25
R
2
R
1
+ R
2
CE
CE
ACTIVE -HIGH
CE逻辑线
对于存储设备
CE
内存
3
CE
PFO
1.25
R
2
=
V
L
- 1.25
+ 5.0 - 1.25
R
3
R
1
1.25
R
2
|| R
3
R
1
+ R
2
|| R
3
V
H
=
CE
内存
n
CE
+5V
0V
0V
V
L
V
旅
V
H
V
IN
图26.备用芯片使能选通
图27.添加滞后于电源故障
比较
并连接CE
OUT
到每个CE输入
如图存储装置
图26 。
行政长官
各部分的输入端，然后直接连到
芯片选择逻辑，其不具有对选通
由
SP691A/693A/800L/800M
设备。
添加滞后于电源故障
比较
滞后增加了噪声容限为电源故障
比较器和防止重复触发
PFO当V
IN
是电源失效比较近
跳闸点。
图27
显示了如何添加迟滞
在电源失效比较器。选择的比例
R1和R2使得PFI看到1.25V当V
IN
下降到合适的设定点（Ⅴ
旅
） 。电阻器
R3增加了滞后。它通常是一个顺序
的幅度大于R1或R2 。该
电流通过R 1和R 2至少应
1μA ，以确保25nA （最大值）的PFI输入
目前不移动触发点。 R3应
大于10kΩ的大，以防止它从装载
下PFO引脚。电容C1增加了额外的
噪声抑制。
监测负电压
电源失效比较器可用于监测
使用该电路的负电源电压的示
in
图28 。
当负电源电压是有效的，
PFO低。当负电源电压
滴， PFO变为高电平。该电路的精度
受PFI门限容差，在V
CC
电压，和电阻R1和R2 。
备份电池的更换
备用电池可以同时断开
V
CC
大于复位阈值。无预防措施
是必要的，以避免虚假的复位脉冲。
日期： 04年5月25日
SP691A / 693A / 800L / 800M低功耗微处理器监控与电池切换2004年的Sipex公司
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