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'97.4.7
三菱的LSI
M5M5256DP ， KP ， FP ，副总裁， RV -45LL -W ， -55LL -W ， -70LL -W ，
-45XL-W,-55XL-W,-70XL-W
262144 - BIT （ 32768 -字×8位）的CMOS静态RAM
描述
该M5M5256DP ， KP ， FP ，副总裁， RV是262,144位CMOS静态RAM
由8位，它们是用制作组织为32,768字
高性能3多晶硅CMOS技术。利用
电阻负载NMOS的细胞和CMOS周产生了高
密度和低功耗静态RAM 。待机电流小
足够的电池备份应用程序。它是理想的内存
这需要简单的界面系统。
尤其是M5M5256DVP ， RV被封装在一个28引脚薄型
是设备的小外形package.Two类型可用，
M5M5256DVP （普通导线弯曲式封装） ，
M5M5256DRV （反向弯曲引线型封装） 。使用这两种类型的
设备，它变得非常容易地设计一个印刷电路板。
引脚配置（顶视图）
A14
A12
1
2
A7
3
A6
4
A5
5
A4
6
7
A3
A2
8
A1
9
A0
10
DQ1 11
DQ2 12
DQ3 13
GND 14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
/W
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/S
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
M5M5256DP,KP,FP
-W
特征
TYPE
接入电源电流
时间
主动待机
（最大）
（最大）
（最大）
45ns
55ns
70ns
45ns
55ns
70ns
55mA
(Vcc=5.5V)
M5M5256DP ， KP ， FP ，副总裁， RV- 45LL
M5M5256DP ， KP ， FP ，副总裁， RV- 55LL
M5M5256DP ， KP ， FP ，副总裁， RV- 70LL
M5M5256DP ， KP ， FP ，副总裁， RV- 45XL
M5M5256DP ， KP ， FP ，副总裁， RV- 55XL
M5M5256DP ， KP ， FP ，副总裁， RV- 70XL
大纲28P4 （ DP ）
28P4Y （ DKP ）
28P2W -C （ DFP）
22 / OE
23 A11
24 A9
25 A8
26 A13
27 /W
28Vcc
1 A14
2 A12
3 A7
4 A6
5 A5
6 A4
7 A3
A10 21
/S 20
DQ8 19
DQ7 18
DQ6 17
DQ5 16
DQ415
GND 14
DQ3 13
DQ2 12
DQ1 11
A0 10
A1 9
A2 8
20A
(Vcc=5.5V)
5A
(Vcc=5.5V)
0.05A
(Vcc=3.0V,
典型）
M5M5256DVP
-W
单+ 5V电源
无时钟，无刷新
在+ 2.0V电源数据保持
直接TTL兼容：所有输入和输出
三态输出：或领带的能力
/ OE防止数据争用的I / O总线
通用数据的I / O
电池备份功能
低待机电流·········· 0.05μA （典型值）。
概要28P2C -A （ DVP ）
7 A3
6 A4
5 A5
4 A6
3 A7
2 A12
1 A14
28 VCC
27 /W
26 A13
25 A8
24 A9
23 A11
22 / OE
A2 8
A1 9
A0 10
DQ1 11
DQ2 12
DQ3 13
GND 14
DQ4 15
DQ5 16
DQ6 17
DQ7 18
DQ8 19
/S 20
A10 21
包
M5M256DP
： 28针
M5M5256DKP
： 28针
M5M5256DFP
： 28针
M5M5256DVP ， RV ： 28PIN
600密耳DIP
300密耳DIP
450万SOP
2
8 X 13.4毫米
TSOP
M5M5256DRV
-W
应用
小容量的存储单元
概述28P2C -B （ DRV ）
三菱
电
1
