初步数据
SPI21N10
SPP21N10,SPB21N10
SIPMOS
功率晶体管
特征
N沟道
增强型
175 ° C工作温度
额定雪崩
dv / dt的额定
P-TO262-3-1
P-TO263-3-2
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
100
80
21
P-TO220-3-1
V
A
TYPE
SPP21N10
SPB21N10
SPI21N10
包
P-TO220-3-1
P-TO263-3-2
P-TO262-3-1
订购代码
Q67042-S4116
Q67042-S4102
Q67042-S4117
记号
21N10
21N10
21N10
最大额定值，在
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
连续漏电流
T
C
=25°C
T
C
=100°C
符号
I
D
价值
21
15.0
单位
A
漏电流脉冲
T
C
=25°C
I
PULS
E
AS
dv / dt的
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
84
130
6
±20
90
-55... +175
55/175/56
mJ
KV / μs的
V
W
°C
雪崩能量，单脉冲
反向二极管的dv / dt
门源电压
功耗
T
C
=25°C
I
S
=21A,
V
DS
=80V,
di/dt=200A/s,
T
JMAX
=175°C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
I
D
=21 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
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m
