最终数据
SPN04N60C2
酷MOS 功率晶体管
特征
新的革命高电压技术
世界范围内最好的
R
DS （ ON）
采用SOT 223
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
600
0.95
0.8
SOT-223
4
V
A
超低栅极电荷
至尊的dv / dt评分
超低电容有效
提高抗干扰
3
2
1
VPS05163
TYPE
SPN04N60C2
包
SOT-223
订购代码
Q67040-S4308
记号
04N60C2
G,1
D,2/4
S,3
最大额定值，在
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
I
D
价值
0.8
0.65
单位
A
脉冲漏极电流，
t
p
受
T
JMAX
反向二极管的dv / dt
I
S
=0.8A,
V
DS
＆ LT ;
V
DD
，的di / dt = 100A / μs的，
T
JMAX
=150°C
I
PULS
dv / dt的
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
3
6
±20
1.8
-55... +150
V / ns的
V
W
°C
门源电压
功耗，
T
A
= 25°C
工作和存储温度
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2002-07-29
